Cтраница 2
Используя этот принцип, можно выполнить наиболее быстродействующие коммутаторы, время переключения которых при использовании специальных диодов ( диодов Шотки) составляет менее 1 не. Недостатками схемы являются: сложная схемотехника и наличие некоторого напряжения смещения в выходном сигнале при разбросе характеристик диодов моста. [16]
Аналогично применение значка, указывающего на использование в полупроводниковом диоде лавинного эффекта, который заключается в электрическом пробое специального диода ( без повреждения самого диода. Этот пробой в каждом типе диодов происходит при строго определенном напряжении, которое можно использовать как опорное ( образцовое) в ряде схем, в частности в стабилизаторах напряжения. Значок лавинного эффекта - прямой угол, упрощенно изображающий наиболее интересный в данном случае участок вольт-амперной характеристики такого диода. [17]
К этой группе относятся генераторы тока, выполненные на основе атомной батареи [26, 64, 106], ионизационной камеры [128], специального диода, работающего в режиме насыщения [121], на основе переноса зарядов макроскопическими телами [21], а также резистивный источник тока [119] и генератор тока на основе фотоэлемента. [18]
Оценивая рассмотренное ЗУ на диодно-конденсаторных ячейках, следует указать на возможность создания таких ЗУ емкостью в несколько тысяч чисел при условии применения специальных диодов с о 1ень большим отношением обратного и прямого сопротивлений. [19]
Принцип электронной настройки заключается в перестройке в заданном диапазоне частот входного контура, контура УВЧ и сопряженного с ними контура гетеродина с помощью специальных диодов, называемых варикапами, емкость которых изменяется в зависимости от величины приложенного к ним напряжения. УКВ в любом месте на шасси; легко сочетается плавная настройка с фиксированными настройками на выбранные радиостанции путем подачи на варикапы заранее установленных управляющих напряжений; АПЧГ возможна без введения в его контур дополнительного управляющего элемента. [20]
Но вследствие особенностей униполярных транзисторов необходимо учитывать следующие ограничения: а) в отличие от биполярных приборов, в которых процессы усиления происходят в объеме материала, принцип работы униполярных транзисторов предполагает знание и освоение технологии обработки поверхности подложки и тонких слоев диэлектрика; б) из-за большого входного импеданса для униполярных транзисторов представляют большую опасность статические электрические заряды, которые приводят к пробою диэлектрика затвора ( включение специальных диодов хотя несколько и снижает эту опасность, но приводит к возрастанию входной емкости); в) большой выходной импеданс ограничивает нагрузочные способности и быстродействие; г) поскольку сопротивление униполярного транзистора как нагрузки не должно быть чрезмерно большим, чтобы существенно не снижать быстродействие, необходимо на затвор транзистора нагрузки подавать напряжение значительно большее напряжения питания схемы, а это, как правило, приводит к необходимости использования двух различных источников питания. [21]
Существует еще ряд специальных диодов. [22]
Схема высокочастотного блока на дисковых триодах и резонансных концентрических линиях. [23] |
В дециметровом диапазоне на частотах от ЮООМгц и примерно до 2 500 Мгц применяются диодные смесители. Они строятся на специальных диодах, имеющих низкий уровень шумов и малые междуэлектродные емкости. [24]
Шумовой диод может служить широкополосным источником шума в диапазоне от нескольких сот герц до 300 - 400 Мгц. В диапазоне СВЧ применяются специальные диоды, ( выполненные в форме отрезка коаксиальной линии: катод является внутренним проводником, а анод - внешним. Диод помещается в волновод. Дро-бовой шум, создаваемый в пространстве катод-анод, распространяется вдоль отрезка линии. Шумовое электромагнитное поле, излучаясь выступающими концами катода, возбуждает колебания в волноводе. [25]
Конструкция точечного диода ( а и структура его перехода ( б. [26] |
Теория и свойства плоскостных полупроводниковых диодов, изложенные в предыдущей главе, лежат в основе всех других типов диодов, количество которых в настоящее время довольно велико. Специфика каждого из этих специальных диодов требует особого анализа, но мы ограничимся их качественной характеристикой в той мере, в какой это полезно при разработке транзисторов и интегральных схем. [27]
Теория и свойства плоскостных полупроводниковых диодов, изложенные в предыдущей главе, лежат в основе всех других типов диодов, количество которых в настоящее время довольно велико. Специфика каждого из этих специальных диодов требует особого анализа, но мы ограничимся их качественной характеристикой в той мере, в какой это полезно при разработке транзисторных схем. [28]
Принципиальная схема блока УКВ. радиоприемника Рига-103 ( при регулировке блока. емкость С7 может быть 18 пФ, а С / 2 - 33 или 39 пФ. [29] |
Подстройка частоты гетеродина осуществляется посредством АПЧ. Для, этого в блоке используется специальный диод - варикап Д2 ( типа Д901Б), частично включенный в гетеродинный контур. [30]