Сложность - микросхема
Cтраница 1
Сложность микросхем определяется уровнем интеграции. [1]
Показателем сложности микросхемы с точки зрения числа входящих в нее элементов служит степень интеграции. Степень интеграции интегральной микросхемы определяется формулой K gN, где N - число элементов и компонентов, образующих данную микросхему. Значение К, полученное расчетным путем, округляют до ближайшего большего целого числа. [2]
На практике сложность микросхем часто оценивают качественными критериями: микросхемами малой степени интеграции ( МИС) считают изделия, содержащие до 10 элементов, средней ( СИС) - до 100, большой ( БИС) - от 100 до 1000 и сверхбольшой ( СБИС) - свыше тысячи элементов. [3]
Показатель степени сложности микросхемы, определяемый числом содержащихся в ней элементов. [4]
При качественной оценке понятий сложности микросхем ( малая, средняя, большая, сверхбольшая) определения зависят от числа элементов и компонентов, технологии изготовления и функционального назначения микросхем. [5]
Степень интеграции ИС - показатель степени сложности микросхемы ( К), характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов: К. [6]
Степень интеграции интегральной микросхемы - показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов. [7]
В настоящее время стандартизированы количественные и качественные меры определения сложности микросхем. Количественный фактор соответствует порядку числа элементов на кристалле микросхемы или в ее корпусе. [8]
Показатель степени сложности микросхемы характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. [9]
Условным каскадам гибридной микросхемы считается один полупроводниковый навесной элемент совместно оо средним числом связанных с ним пассивных элементов. Введение понятия услов-ного жаюкада позволяет при определении размера выборки для испытаний учитывать сложность микросхем. [10]
 |
Зависимость выхода годных струк. [11] |
Исследования показывают, что пределы достижимой степени интеграции микросхем определяются возможностью отвода тепла, выделяемого большим числом элементов микросхемы. Практически возможен отвод мощности примерно 0 25 Вт с 1 см2 площади поверхности корпуса микросхемы. С увеличением сложности микросхемы растут площадь кристалла и число слоев соединений, что снижает процент выхода годных микросхем на пластине. Предельными для элементарного логического элемента при современном уровне технологии являются площади порядка 0 1 мм2 для биполярных микросхем и 0 02 мм2 для МДП-микросхем. [12]
В зарубежной литературе основным считают показатель функциональной сложности ИС. Так появились понятия малой, средней, большой и сверхбольшой степени интеграции, широко употребляющиеся в настоящее время. Однако эти понятия включают в себя и большую долю субъективного подхода каждого автора. Поэтому в отечественной литературе, согласно ГОСТ 17021 - 75, предлагается понимать показатель сложности микросхемы как степень интеграции ИС К lg N, где N - число элементов ИС, а степень интеграции К округляется до ближайшего большего целого числа. [13]
Страницы: 1