Слой

Cтраница 1

Слои 4 и 8 соответствуют ускоренным электронам и поэтому перемещаются быстрее слоев 3 и 7 и при движении приближаются к последним. При кинематическом движении слоев 2, 4, 6 и 8 их перемещение происходило бы с постоянной скоростью и отображалось бы в рассматриваемой диаграмме прямыми штриховыми линиями, изображенными на рисунке. При этом центр группирования был бы определен горизонтальной линией АВ. В действительности движение группирующихся слоев только в начале происходит кинематически. По мере увеличения объемного заряда электронных уплотнений возрастает сила продольного расталкивания электронов и уменьшается скорость сближения слоев. При этом истинное движение слоев 2, 4, 6 и 8 определится показанными на диаграмме сплошными кривыми, которые совпадают с пунктирными линиями только в начале. Следует отметить, что и степень группирования уменьшается, так как вместо пересечения кривых будет только их сближение. После прохождения центра группирования А В начинается расхождение электронных слоев, показанных на диаграмме, которая соответствует значительному влиянию продольного расталкивания, когда оно существенным образом влияет на движение электронов. [1]

Слой 2 замедлен, слой 4 ускорен и они, приближаясь, к слою3, создают на его месте центр электронного уплотнения, т.е. максимум переменного тока. Максимум же переменной скорости соответствует начальному положению слоя 4 и так как слой 3 вначале опережает его на - -, то происходит дополнительное опережение переменного электронного тока по фазе по сравнению с переменной скоростью на тот же у гол. [2]

Слои не только должны быть тонкими, но и должны иметь равномерную толщину на протяжении всего диаметра кристалла и. Более того, толщина и однородность кристалла должны быть воспроизводимы при переходе от образца к образцу, так как из одного кристалла можно изготовить примерно лишь 200 триодов - р-ге-типа с размерами, диктуемыми требованиями технологии. [3]

Слои из атомов металла ( отмеченные на рисунке круглыми скобками) расположены так, что слои из атомов галогенов, являющиеся вторыми соседями по отношению к слою из атомов металлов, имеют тот же тип ( А, В или С), что и металлический слой. [4]

Слой не изменяет или изменяет очень незначительно свое электрическое сопротивление до момента разрушения образца и разрушается одновременно с ним. [5]

Характер изменения электрического сопротив. [6]

Слой не изменяет или изменяет незначительно свое сопротивление, причем в момент разрушения поверхности не фиксируется каких-либо мгновенных изменений электрического сопротивления слоя и только при дальнейшем значительном расширении образовавшейся трещины происходит разрушение слоя. Это имело место при нанесении толстых слоев. [7]

Характер изменения электрического сопротив. [8]

Слой в момент разрушения образца скачкообразно изменяет свое электрическое сопротивление или фиксируется кратковременное разрушение слоя в виде всплеска на диаграмме. [9]

Характер изменения электрического сопротив. [10]

Слой разрушается без разрушения образца. Причины: некачественная паста или нарушение технологии ее нанесения, распайка или обрыв токоподводов. [11]

Привес образцов MoSi2 при окислении на воздухе, 1500 С. [12]

Слой MoSi2 образуется со значительным увеличением объема по отношению к объему металла, в результате чего в нем возникают большие напряжения сжатия при низких температурах. [13]

Слои, полученные конденсацией, изучались металлографически на поперечных шлифах, пересекающих диффузионную зону. На таких шлифах, производили измерение микротвердости, а также рештеноструктурную съемку поверхности сконденсированного слоя и различных его участков, обнаженных последовательным сошлифовыванием или выходящих на поверхность косого шлифа. [14]

Слой, прилегающий к поверхности металла Met, должен обогатиться катионами его. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5