Слой - отрицательный заряд
Cтраница 1
Слой отрицательных зарядов, удерживаемых на аноде из-за наличия смещения, индуцирует возникновение у поверхности германия тонкого инверсионного слоя р-типа. Этот слой образует с основной массой германия р-п переход, находящийся под обратным смещением. [1]
Вследствие столкновений внутри плазмы электроны покидают ее и образуют слой отрицательных зарядов на стенках трубки. Поэтому последующие электроны отталкиваются таким слоем обратно в плазму. [2]
Двойной электрический слой возникает за счет того, что электроны, попадая на границу материала и окружающей его среды ( вакуума), образуют слой отрицательных зарядов, а в слоях материала, несколько удаленных от его поверхности, создается избыток положительных зарядов вследствие образующихся после ухода свободных электронов нескомпенсированных положительных ионов кристаллической решетки. [3]
 |
Расщепление d - орбиталей в окта-эдрическом кристаллическом поле лигандов. [4] |
Уровень энергии в сферическом поле ( гипотетическое поле, соответствующее сферически симметричному слою электронной плотности, который был бы расположен вокруг иона металла на таком же расстоянии, как электроны в комплексе) находится выше, чем уровень d - орбиталей иона в газовой фазе, вследствие межэлектронного отталкивания между электронной плотностью иона металла и сферическим полем, создаваемым слоем отрицательного заряда. Однако и на этом уровне d - орбитали вырождены, соответствуют одинаковой энергии. [5]
Электрическое поде двойного заряженного слоя. Двойным заряженным слоем называют слой положительных и слой отрицательных зарядов, расположенных на весьма малом ( теоретически на бесконечно малом) расстоянии друг от друга. [6]
СУ) создается электронное облако большой плотности. Электроны, располагаясь на поверхности металла, образу - от слой отрицательных зарядов. Положительные заряды атомоз при этом смещаются в глубь металла. [7]
 |
Ступенчатый р-п переход. [8] |
Рассмотрим случай ступенчатого перехода. Так как работа выхода ля электронного полупроводника меньше, то электроны стекают из области я-типа в область р-типа, и в области n - типа формируется слой положительного заряда, а в области р-типа слой отрицательного заряда, и уровни Ферми выравниваются. [9]
Распределение зарядов в разных случаях может быть различным. Слой положительных зарядов в окисле вызывает образование слоя отрицательных зарядов на поверхности кремния. Подвижные электроны вытягиваются из объема полупроводника р-типа, где они являются основными носителями заряда, и концентрируются вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Однако электроны не могут преодолеть границу раздела, поскольку их энергия для этого недостаточна. Непосредственно под границей раздела они образуют проводящий инверсный слой n - типа. Последующие электроны, которые притягиваются слоем положительных зарядов, рекомбинируют в объеме материала, и в результате возникает область ионизированных акцепторных атомов, или обедненный слой. Поскольку обедненный слой состоит только из ионов и в нем нет подвижных носителей заряда, область, расположенная под инверсным слоем, не обладает электропроводностью. При дальнейшем удалении от поверхности пластины, все большую роль начинают играть объемные свойства полупроводникового материала р-типа. Очевидно, что между инверсным и обедненным слоями, а также между обедненным слоем и объемом полупроводника существует размытая граница, а резкой является лишь граница раздела полупроводник - диэлектрик, отделяющая инверсный слой л-типа от положительного заряда ионов в слое окисла. [10]
Величина А, или Dq, неодинакова для разных комплексов. На рис. 3 - 2 для сравнения приведены уровни энергии того же иона в сферическом поле. Это гипотетическое сферическое поле, соответствующее сферически симметричному слою электронной плотности, который был бы расположен вокруг иона металла на таком же расстоянии, как электроны в комплексе. Уровень энергии, соответствующий сферическому полю, находится выше, чем уровень d - орбиталей в газообразном ионе, вследствие межэлектронного отталкивания между электронной плотностью иона металла и сферическим полем, создаваемым слоем отрицательного заряда. В реальном комплексе поле никогда не бывает сферическим. Расщепление происходит так, что средняя энергия пяти S-орби-талей остается равной энергии в сферическом поле. [11]
Тонкий размол, увеличивающий площадь поверхности, согласно этой теории, не увеличивает способности обмена, так как обменные катионы могут попадать в решетку через отверстия в базальной плоскости связей Si - О даже до размола. III, § 283), по крайней мере относительно каолина; Келли пришел к заключению, что обменные катионы должны помещаться на поверхностях и внутри решетки. Энделл и Фагелер, а также Гофман и Бильке считали, что притяжение заменяемых катионов обусловливается разорванными валентными связями кислорода в слоях Si - О. Однако это допущение до некоторой степени противоречит теории двойных слоев Гун-Фрейндлиха ( см. А. Такие слои не возможны в этом случае и трудно объяснить существование на слоях отрицательных зарядов. Для каждой разорванной связи Si - О, А1 - О или А1 - ОН отрицательное или положительное связывание становится ненасыщенным. Анионная адсорбция встречается столь же часто как и катионная адсорбция, но этот факт никем отмечен не был. [12]
Страницы: 1