Слой - оксид
Cтраница 1
Слой оксидов является практически непроводящим. Однако под давлением он может быть частично разрушен, так как металл способен деформироваться пластически, сохраняя сцепление; слой же оксидов не может следовать этой деформации вследствие хрупкости. Поэтому при давлении на контакты происходит скалывание инородного слоя, появляются трещины, в которые проникает металл, образуя проводящие контактные точки. По мере увеличения давления число контактных точек и проводящая поверхность sn увеличиваются. При наличии скольжения между контактами образование трещин облегчается, так как при этом появляются касательные напряжения и происходит срез. Чем толще инородный слой, тем труднее проникновение металла в трещины. [1]
Адгезия слоя оксида к подложке практически не зависит от ее температуры, что обусловлено высокой энергией осаждаемых частиц по сравнению с тепловой энергией, сообщаемой им за счет нагрева подложки. При реактивном распылении могут быть получены скорости осаждения до 30 нм / мин. [2]
 |
Двумерные структуры диоксида кремния в кристаллическом и стеклообразном состоянии.| Элементарный кремний-кислородный тетраэдр ( и и схема строения кварцевого стекла по Захариасену ( б. [3] |
В слоях оксида с примесью фосфора немостиковый кислород переходит в мостиковую форму, уменьшая вероятность фазового перехода. [4]
При облучении слоя оксида меди ( I) в ней, благодаря внутреннему фотоэффекту, возникают свободные электроны. На границе между оксидом меди ( I) и медной пластинкой образуется очень тонкий ( 10 - 5 - 10 - 6 см) слой 2, пропускающий электроны только от СщО к Си и препятствующий их обратному движению. В результате медь заряжается отрицательно, а оксид меди ( I) - положительно. Между этими слоями появляется разность потенциалов, поддерживаемая действием излучения. Наличие такого вентильного, или запирающего, слоя обусловливает выпрямляющее действие устройства и наблюдается во многих полупроводниках. Отсюда фотогальванический эффект часто называют вентильным, или фотоэффектом в запирающем слое. [5]
Наряду со слоем оксида ( на никеле - NiO, на хроме и карбиде хрома - Сг203, на нихроме - NiCr204), на поверхности металлов присутствуют пленки хемосорбированного кислорода [ 6, с. [6]
 |
Ячейка Холла - Эру для получения алюминия ( 5 мХ. [7] |
В этом случае слой оксида полуконструкторских целей чается толще, он гидратирован и способен абсорбировать красители. Окрашенный анодированный алюминий используют для декоративного обрамления окон и дверей, он устойчив по отношению к коррозии. [8]
На поверхности металла создают слой оксида, через который кислород воздуха почти не диффундирует. [9]
В некоторых газосветных лампах слой оксида наносится также на подложку из вольфрама или молибдена. [10]
На поверхности металла создают слой оксида, через который кислород воздуха почти не диффундирует, Оксидирование можно осуществлять термическим, химическим и электрохимическим методами. [11]
 |
Быстрые / и медленные 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [12] |
На реальном полупроводнике всегда имеется слой оксида. Поэтому поверхностные состояния могут находиться не только непосредственно на полупроводнике, но также в слое оксида и на его поверхности. При изменении внешнего электрического поля и при соответствующем изменении энергетической диаграммы вблизи поверхности полупроводника должно происходить заполнение или опустошение электронами по крайней мере некоторых поверхностных состояний. [13]
 |
Быстрые / и мед. [14] |
На реальном полупроводнике всегда имеется слой оксида. Поэтому поверхностные состояния могут находиться не только непосредственно на полупроводнике, но также в слое оксида и на его поверхности. При изменении внешнего электрического поля и при соответствующем изменении энергетической диаграммы вблизи поверхности полупроводника должно происходить заполнение или опустошение электронами по крайней мере некоторых поверхностных состояний. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5