Cтраница 3
Эффективным способом повышения износостойкости червяков является диффузионное насыщение их поверхности бором. При этом на червяках из углеродистой стали ( например, стали 45) образуется слой бора толщиной от 0 03 до 0 25 мм. При сильном абразивном износе червяка тошину слоя бора увеличивают до 0 5 мм. Оптимальной является толщина покрытия 0 08 - 0 10 мм. [31]
Плотные, хорошо сцепленные с металлом осадки бора были получены в интервале температур 1470 - 1600 К. При этих температурах на поверхности металла образовывался диффузионный слой, растущий с увеличением температуры и времени борирования, и значительно меньший по толщине слой бора. Авторы работы [228 ] логично предполагают, что в условиях эксперимента скорость осаждения бора была соизмерима со скоростью его диффузии в молибдене. [32]
При этих условиях получается слой наилучшего качества и достигается высокая износостойкость бориро-ванных деталей. Свойства слоя бора не изменяются при нагреве до температуры 950 С. Этот слой имеет повышенные кислотостойкость и жаростойкость при нагреве до температуры 300 С. Высокая твердость слоя бора увеличивает износостойкость поверхности детали. Поэтому борированием упрочняют детали машин, работающие в тяжелых условиях - при наличии абразивной среды и ударных нагрузках, например втулки буровых насосов. [33]
Наиболее прогрессивным методом изготовления Ge и Si дрейфовых транзисторов является метод двойной диффузии. Планарная технология включает в себя механическую обработку кремниевой пластинки п-типа с тщательной полировкой и последующим травлением. Затем проводится термическое окисление пластинки кремния в атмосфере влажного кислорода при температуре 1000 С. На пластинке создается защитный слой двуокиси кремния Si02 толщиной 1 - 1 5 мкм. Методом фотолитографии в сочетании с травлением с нужных участков поверхности кремниевой пластинки удаляется оксидный слой. В атмосфере кислорода проводится локальная диффузия бора и получаются слой бора и коллекторный переход под отверстием в защитном слое. В защитной пленке над полученной областью базы методом фотолитографии и травления создается отверстие для эмиттерной области. Эмиттерную область и эмиттер-ный переход получают методом локальной диффузии фосфора сквозь отверстие в оксидной пленке. В процессе диффузии площадь эмиттерной области полностью покрывается новой оксидной пленкой. В полученной структуре фотолитографическим способом и травлением оголяют контакты эмиттерной и базовой областей. Над базовой областью оксидный слой обычно стравливается в виде кольца, а над эмиттерной - в форме круга. На эти участки напыляются металлические контакты ( алюминий) и сплавляются с кремнием. [34]
Для медленных нейтронов, особенно таких, которые обладают тепловыми скоростями, этот метод неприменим, так как в этом случае передаваемой энергии недостаточно для образования даже одного иона. Для обнаружения медленных нейтронов необходим обходный путь, использующий другой ядерный процесс. Подобные методы обнаружения медленных нейтронов отличаются высокой чувствительностью, так как медленные нейтроны вызывают ядерные превращения, характеризующиеся особенно большим эффективным сечением. Вылетающие сс-частицы обладают энергией 2 5 MeV и длиной пробега в воздухе 11 мм. Их удобно исследовать с помощью счетчика или ионизационной камеры. Так как пользоваться счетчиком, наполненным газообразным соединением бора, затруднительно, то целесообразно покрывать изнутри стенки счетчика слоем бора. Реакция превращения бора не проявляет равномерно нейтроны всех скоростей, так как эффективное сечение в этой реакции, а следовательно и чувствительность камеры, обратно пропорциональны скорости нейтронов. Таким образом, камера особенно чувствительна к наиболее медленным нейтронам. После облучения активность можно обнаружить счетчиком или, если она достаточно велика, - электрометром. [35]