Cтраница 1
Слой твердого раствора на поверхности кермета может также образоваться как нз самого состава кермета, так и заранее приготовлен и нанесен на кермет наподобие ангоба. [1]
![]() |
Технологический процесс изготовления структуры фотодиода с гетерогенным переходом. [2] |
Слой твердого раствора пропускает излучение практически без потерь. Излучение поглощается в средней ra - GaAs зоне, что обеспечивает генерацию свободных фотоносителей. Генерированные в ra - GaAs дырки переносятся в р-об-ласть. Высокая степень чистоты n - области снижает потери на рекомбинацию фотоносителей. Возможность изготовления гетеропереходов высокого качества ( с низкой плотностью поверхностных состояний на границах между слоями) также, способствует уменьшению паразитных ре-комбинационных потерь. [3]
Слой твердого раствора вольфрама в железе, по сравнению с науглероженным слоем, мал и при расчете принимать во внимание его не будем. [4]
Переходной слой твердого раствора образуется в начальный период осаждения, главным образом, вследствие разложения GaAs и испарения мышьяка. С утолщением слоя GaP, покрывающего поверхность исходных кристаллов GaAs, содержание в нем мышьяка резко уменьшается. [5]
В слоях твердого раствора с увеличением содержания теллурида кадмия обнаруживаются напряжения, которые часто приводят к растрескиванию слоя и подложки. Возможно, что причиной этого является различие коэффициентов линейного расширения подложки и выращенного слоя. [6]
Образующийся при этом слой твердого раствора должен отличаться слабой проникающей способностью при передвижении дислокаций. Насыщение твердого раствора быстро достигается при малой растворимости элементов жидкого сплава в твердом, что является важным условием для торможения дислокаций. С повышением температуры и уменьшением средней величины зерна ( увеличением межзеренных активных участков) тормозящее действие легированного поверхностного слоя продвижению дислокаций ослабляется и оказывается неэффективным выше определенной температуры. [7]
Сплошность и однородность слоя твердых растворов, отсутствие пузырьков и областей с плохим качеством присоединения проверялись на большом количестве образцов. Соблюдение обычных условий полупроводниковой чистоты гарантирует весьма высокое качество. [8]
Образующийся на поверхности трубки слой твердого раствора алюминия в стали имеет поверхностную жаростойкую пленку А12О3, но, к сожалению, при длительных нагревах свыше 900 С алюминий диффундирует в толщу трубки. [9]
![]() |
Схема вакуум-диффузионного хромирования трубных заготовок в печи СЛВ-16. 128. [10] |
За 20 - 30 ч образуется обезуглероженный пластичный гомогенный слой твердого раствора хрома в железе толщиной 3 мм и более. Таким же способом хромируются и различные стальные готовые изделия. Для хромирования стальной ленты на глубину до 0 08 мм созданы уста новки полунепрерывного действия. [11]
Сравнение двух технологических процессов показывает, что наиболее совершенные слои твердых растворов GaAsi-x Рж получаются в случае хл оридной технологии. Неоднородность и анизотропия распределения несовершенств также значительно ниже в хлоридной технологии, несмотря на то, что концентрационная неоднородность в макрообъемах выше, а несоответствие состава по шихте больше, чем в случае водяной технологии. Существенное влияние на совершенство строения и однородность твердых растворов оказывают процессы формирования эпитаксиальных слоев, связанные с ориентацией подложки. Аналогичные качественные результаты по исследованию совершенства структуры поверхностных слоев получили при использовании метода электронографии на отражение по уширению Кикучи-линий. [13]
Наиболее распространенным является метод подпитки жидкой фазы алюминием в процессе роста слоя твердого раствора Al. [14]
Полосковые контакты в структурах с толстым слоем Al Gaj As наносятся непосредственно на слой твердого раствора ( рис. 3.21, а), в приповерхностную область которого предварительно проводится диффузия цинка из газовой фазы, увеличивающая поверхностную концентрацию акцепторов, а для улучшения адгезии перед диффузией и нанесением контакта вытравливают полосковые углубления. [15]