Слой - вещество
Cтраница 4
Пусть а-частицы проходят через слой вещества толщиной, в 1 смг которого содержится N рассеивающих центров. [46]
При прохождении гамма-излучения через слой вещества помимо его поглощения происходит возникновение рассеянного излучения с энергией меньшей, чем энергия первичного излучения. Интенсивность рассеянного излучения имеет сложную, но определенную зависимость от атомного номера вещества. Эффект рассеяния мягких рентгеновских лучей также зависит от вещественного состава контролируемого вещества. [47]
При попадании у-излученяя на слой вещества наблюдается обратное излучение. Отраженные электроны фотоэффекта в значительной мере поглощаются материалом, и при достаточной толщине слоя достигается значение насыщения. Поэтому для поглощения этих электронов предварительно устанавливается экран. [48]
Ясно, что если слой вещества, через который пролетает быстрая частица, достаточно толстый, то влияние границ должно быть незначительным, и ионизационные потери на единицу длины пути частицы в этом слое должны быть такими же, как и в безграничной среде. [49]
По мере прохождения через слой вещества радиоактивное излучение ослабляется. [50]
 |
Принципиальная схема сцинтилляционного счетчика. [51] |
По мере прохождения через слой вещества радиоактивное излучение ослабевает. [52]
Роль фотокатода 4 выполняет полупрозрачный слой фоточувствительного вещества, нанесенный с внутренней стороны на торец стеклянного баллона ФЭУ. Внутри баллона поддерживается высокий вакуум. Фотокатод должен быть хорошим эмиттером электронов. Таким свойством обладает сурьмянистый цезий Cs3Sb; его и используют обычно в качестве фоточувствительного вещества. [53]
Отсюда следует, что прозрачный плоскопараллельный слой вещества с любым коэффициентом преломления, расположенный на границе между двумя средами, не изменяет условий преломления. [54]
Полученные уравнения определяют движение слоя вещества относительно модели фона. [55]
 |
Зависимость числа частиц от глубины проникновения в вещество пучка а протонов или ионов. б электронов. [56] |
Максимальным пробегом называется толщина слоя вещества Л, в котором задерживаются все частицы пучка. [57]
При способе регистрации снятием слоя вещества с носителя регистрирующими элементами являются металлический резец, перфаратор ( пуансон с матрицей) или игла. Металлическим резцом снимается тонкий верхний слой, после чего обнаруживается поверхность прочного слоя. В качестве носителя распространена плотная бумага, покрытая тонким мягким слоем красящего и связующего вещества. [58]
 |
Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. [59] |
Величина а1 равна толщине слоя вещества, при прохождении через который интенсивность света уменьшается в е раз. Поглощение света полупроводником может быть связано с различными процессами: возбуждением электронов из валентной зоны в зону проводимости, изменением колебательной энергии атомов решетки и др. Каждому из этих процессов будет соответствовать поглощение света полупроводником в определенной области спектра. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5