Слой - гельмголец
Cтраница 4
Часть же катионов под влиянием теплового движения удаляется на большее расстояние от частицы и образует диффузную часть двойного электрического слоя, или диффузный слой Гун. Между ионами слоя Гельмгольца и диффузного слоя Гун идет непрерывный равновесный обмен. В пределах слоя Гельмгольца наблюдается резкое падение электрического потенциала, тогда как в диффузном слое Гун падение потенциала более плавное. [46]
 |
Влияние заряда ионов на коагуляцию коллоидов. [47] |
Следует заметить, что понижение - потенциала является показателем перестройки и изменения свойств двойного слоя адсорбированных частиц и само по себе еще не является причиной коагуляции. По данным А. И. Рабиновича, В. А. Каргина и других, введение электролита в коллоидные растворы приводит к обмену между добавленными ионами и ионами диффузного слоя. При этом коагулирующие ионы проникают в слой Гельмгольца, вследствие чего двойной слой сжимается и - потенциал понижается. Однако понижение - потенциала не всегда сопровождается понижением устойчивости коллоидной системы. [48]
 |
Двойной электрический слой по Штерну и падение в нем потенциала. [49] |
Из схемы можно видеть, что полное падение потенциала ( р0, слагается из падения потенциала р6 в диффузной части двойного слоя и разности потенциалов ( ср0 - ф6) между обкладками конденсатора. Место границы скольжения в таком слое остается до сих пор неясным. Некоторые авторы принимают, что она совпадает с границей между слоем Гельмгольца и слоем Гуи. Таким образом, потенциал на границе слоя Гельмгольца и слоя Гуи не обязательно должен быть равен - потенциалу. [50]
Поскольку вещества, которые растворяют ( разлагают), прежде всего, являются электрически нейтральными, они генерируют равные количества положительных и отрицательных зарядов. Электризация возникает, только если положительные или отрицательные заряды избирательно прилипают к поверхности твердого тела. Если это происходит, образуется очень компактный слой, известный как слой Гельмгольца. Поскольку слой Гельмгольца заряжен, он привлекает ионы противоположного полюса к себе. [51]
 |
Двойной электрический слой и изменение в нем потенциала. [52] |
Современная теория строения двойного электрического слоя основана на представлениях Штерна. Она объединяет две предыдущие теории. Одна часть находится в непосредственной близости к межфазнон поверхности и образует слой Гельмгольца ( адсорбционный слой) толщиной б не более диаметра гидратированных ионов, его составляющих. Другая часть противо-ионов находится за слоем Гельмгольца, в диффузной части ( диффузный слой Гун с потенциалом р6), толщина Я которой может быть значительной и зависит от свойств и состава системы. Потенциал в диффузной части двойного электрического слоя не может зависеть линейно от расстояния, так как ионы в нем распределены неравномерно. [53]
Образование межфазной границы связано с изменением свойств и структуры растворителя в непосредственной близости от границы раздела. При этом очевидно, что наиболее сильно ориентирующее действие поверхности раздела выражено по отношению к слою молекул растворителя, находящихся в непосредственном соприкосновении с внешней фазой. С макроскопической точки зрения указанное обстоятельство проявляется как изменение эффективной диэлектрической проницаемости слоя Гельмгольца - Штерна по сравнению со значением диэлектрической постоянной гомогенной фазы растворителя. [54]
Из уравнения (11.138) следует, что в области малых концентраций электролита плотность заряда qr пропорциональна концентрации XQ в первой степени, а согласно теории Гуи - Чепмена gs пропорциональна УС. Для бесконечно разбавленного раствора теория Гуи - Чепмена при-ложима ко всему двойному электрическому слою, так как q Qr. При больших концентрациях электролитов д6 значительно уменьшается; двойной слой становится похожим на слой Гельмгольца. [55]
Блокируя поверхность инертного либо свежеосажденного ме: талла, органические молекулы сильно замедляют процесс восстановления иона металла. Адсорбированные на электроде частицы в большой степени определяют структуру двойного слоя, размеры слоя Гельмгольца, непосредственно влияя на электродный процесс. [56]
Из схемы можно видеть, что полное падение потенциала фо слагается из падения потенциала ф6 в диффузной части двойного слоя и разности потенциалов ( р0 - р6) между обкладками конденсатора. Место границы скольжения в таком слое остается до сих пор неясным. Некоторые авторы принимают, что она совпа - - дает с границей между слоем Гельмгольца и слоем Гуи. Таким образом, потенциал на границе слоя Гельмгольца и слоя Гуи не обязательно должен быть равен - потенциалу. [57]
Страницы: 1 2 3 4