Приповерхностный слой
Cтраница 1
Приповерхностные слои обладают свободной энергией и, следовательно, высокой адсорбционной активностью. [1]
Приповерхностный слой воздуха загрязняется в ( результате: аварийных газовых выбросов; сжигания на факелах неутилизированного попутного газа; сжигания нефти и нефтепродуктов, разлитых на поверхности при аварии на трубопроводах; пожаров на объектах добычи, подготовки и транспорта нефти и газа; утечки и испарения в процессе хранения и сливно-наливных операциях, уточки газа через негерметичные соединения или при разрывах газопроводов; эксплуатации открытых очистных сооружений, земляных амбаров и мерников; вентиляции производственных помещений; отопления производственных и жилых зданий. [2]
 |
Искривление энергетических зон при наличии поверхностного заряда. и - отрицательного. б - положнтель.| Образование различных слоев в области пространственного заряда. [3] |
Приповерхностный слой полупроводника, где сосредоточен поверхностный заряд, называют областью пространственного заряда. Толщина этой области может достигать 10 - 3 - 10 4 см. Наличие поверхностного заряда приводит к возникновению потенциального барьера у поверхности полупроводника. [4]
Аморфизи-рованный приповерхностный слой был рекристаллизован воздействием лазерного импульса, после чего в образцах был обнаружен новый парамагнитный центр, который был идентифицирован как изолированный замещающий кремний атом азота. [5]
Приповерхностный слой кометного ядра - это своего рода кухня, где собственно и формируется строение кометы. Одной из ее важнейших характеристик служит эффективное газопроизводство ядра, зависящее от целого ряда процессов и параметров. [6]
Приповерхностный слой полупроводника значительной толщины dn оказывается обедненным электронами. В нем образуется неподвижный положительный заряд ионизированных доноров, обеспечивающий выравнивание энергетических уровней Ферми полупроводника и металла. Этот слой называется обедненным или областью объемного заряда. [7]
Если приповерхностные слои представлены склонными к размыву породами, то этот способ также нужно сочетать со спуском удлиненного направления до первого устойчивого пласта. В условиях севера Тюменской области такой пласт всегда удается найти в пределах первой сотни метров. [8]
 |
К пояснению изгиба зон у полупроводника га-типа при образовании поверхностного заряда. а отрицательного. б положительного. [9] |
Свойства приповерхностного слоя полупроводника, имеющего поверхностные состояния, во многом аналогичны свойствам приповерхностного слоя структуры контакта металл-полупроводник. [10]
Толщина приповерхностного слоя Хт &, на которую распространяется охлаждающее действие инструмента, в литературе не совсем удачно названа зоной затвердевания. [12]
Наклеп приповерхностного слоя стали указанными методами обычно не позволяет проявляться технической наследственности, так как он захватывает достаточную глубину изделия и имеет достаточную интенсивность для подавления изменений в металле, которые были вызваны предшествующей обработкой. [13]
Толщина приповерхностного слоя объемного заряда, па протяжении которой происходит нейтрализация поверхностного заряда, зависит от концентрации носителей тока в проводнике. Обычно ее принимают равной так называемой дебаевской длине экранирования Ад, имеющей следующий смысл: Z - д представляет собой расстояние, на протяжении которого потенциал поля в веществе со свободными носителями тока уменьшается в е раз. [14]
В приповерхностном слое наблюдаются каналы скольжения, которые отсутствуют во внутренних областях металла. Внутри каналов обнаружены следы элементарного скольжения. [15]
Страницы: 1 2 3 4