Точечный германиевый диод
Cтраница 3
 |
Принципиальная схема ТИМ К2ЖА243 L... [31] |
В качестве Д1 и Д2 использованы точечные германиевые диоды. [32]
С точки зрения точного приборостроения особый интерес представляют точечные германиевые диоды, например, типа СЕХ64, выпускаемые фирмой Дженерал Электрике Компани Лимитед. Хотя обратное напряжение для этих диодов и не должно превышать нескольких вольт, они обладают исключительно низким прямым сопротивлением. Так, при напряжении 0 3 в ток через диод оказывается равным 5 - 15 ма. Конструкция этих диодов обычна: они запаяны в стеклянный баллон с двумя впаянными проволочными выводами, что позволяет использовать их в электрических цепях так же просто, как сопротивления и другие элементы. Длина такого диода имеет величину порядка 1 см, диаметр 0 5 см. Их можно использовать при температурах от - 40 до 80 С. Однако в связи с тем, что при повышении температуры обратное сопротивление уменьшается, максимальный уровень мощности рассеяния следует уменьшать. [33]
На рис. 6.126 изображены устройство и внешний вид точечных германиевых диодов типа ДГ-Ц. Вольфрамовая проволочка диаметром 0 1 мм отточенным концом упирается в германий. Площадь соприкосновения составляет несколько квадратных микрон. Диод заключен в керамический патрон с металлическими фланцами. Выводы сделаны из проволоки. Точечные диоды характеризуются такими же параметрами, как и плоскостные. [35]
Следует отметить, что в практике работы иногда может встретиться необходимость замены точечных германиевых диодов в керамическом корпусе типов ДГ-Ц1-ДГ-Ц14. [36]
Германиевые точечные высокочастотные диоды могут иметь обратное напряжение до 350 В и прямой ток до 100 мА при Unp 1 - 2 В. Барьерная емкость точечных германиевых диодов мала ( около 1 пФ), но при СВЧ они применяться не могут из-за эффекта накопления. При частоте выше 150 МГц инжектированные носители заряда за время действия обратного напряжения не успевают ре-комбинировать и уйти из базы. [37]
Полупроводниковые точечные диоды менее мощные, чем плоскостные, но зато имеют малую емкость ( не более 1 пф) и поэтому применяются на высоких частотах. Принцип устройства точечного германиевого диода показан на рис. 6.12. С пластинкой германия имеет контакт вольфрамовая проволочка. Германий применяется с электронной проводимостью, но около контакта с проволочкой образуется небольшая область с дырочной проводимостью. [38]
Для выпрямления слабых высокочастотных токов применяют точечные полупроводниковые диоды. Схематическое устройство точечного германиевого диода дано на рис. 17.6. Внутри керамической трубки / на металлических втулках укреплена пластинка германия 2 и контактная металлическая проволочка 3, упирающаяся в германиевую пластинку. В месте контакта металлической проволоки с кристаллом полупроводника образуется р-га-переход. [39]
Если ошибка за счет утечки в переключателе не должна превышать 0 1 %, то развязка должна быть не ниже 63 дб. В переключателе применены точечные германиевые диоды 1N270, обладающие малым прямым сопротивлением, высоким обратным сопротивлением и достаточно малым временем переключения ( около 20 нсек), что позволяет получить прямоугольную вырезку, если ее длительность не меньше 100 нсек. [41]
 |
Принципиальная схема включения кристаллического триода. [42] |
Пластинка припаивается к ножке триода. Наружная поверхность пластинки обрабатывается точно так же, как при изготовлении точечного германиевого диода. На поверхность пластинки опираются два зонда из вольфрамовой проволоки или из фосфористой бронзы. [43]
 |
Характеристика полупроводникового диодсц а - реальная. б идеализированная. [44] |
Для определения качественных показателей детектора необходимо знать характеристику диода и величину входного напряжения, которое при расчетах допустимо считать немодулированным. Типичная характеристика полупроводникового диода изображена на рис. 199, а. Обычно для детектирования используют точечные германиевые диоды. Кремниевые диоды применяют значительно реже ввиду большей величины прямого сопротивления. [45]
Страницы: 1 2 3 4