Плоскостной германиевый диод
Cтраница 2
В табл. 1.1 приведены основные параметры некоторых плоскостных германиевых диодов малой и средней мощности, а в табл. 1.2 - диодов большой мощности. [16]
 |
Схема устройства германиевого плоскостного диода.| Статическая характеристика диода. [17] |
На рис. 8 - 28 представлено схематически устройство плоскостного германиевого диода. С одной стороны кристалл сплавляется с оловянным электродом-держателем, который дает плотный контакт и позволяет подключить зажим внешней цепи. [18]
Описанный способ получения р-п-перехода применяется главным образом при изготовлении плоскостных германиевых диодов. Кроме этого способа, разработаны и другие приемы создания р - n - переходов. Так нередко используется метод термической диффузии, при котором на поверхность полупроводниковой пластинки наносится тонкий слой соответствующего элемента. Атомы последнего, проникая в толщу полупроводника, должны обеспечить тот или иной механизм проводимости. Затем пластинка с нанесенным на одну из ее поверхностей слоем помещается в вакуумную печь, где в условиях высокого вакуума прогревается некоторое время, зависящее от температуры печи. При прогреве атомы нанесенного на пластинку элемента диффундируют в глубь полупроводника, обеспечивая нужный механизм проводимости. [19]
 |
Германиевые диоды. [20] |
На рис. 213, б показана одна из конструкций плоскостного германиевого диода. Два латунных ниппеля с винтовой нарезкой запрессовываются в пластмассу. Перед запрессовкой на один из ниппелей напаивают кристалл, а сквозь отверстие в другом ниппеле пропускают проводник 3, припаянный к электроду, изготовленному из индия. Другой конец проводника запаивают на конце ниппеля. [21]
 |
Германиевый плоскостной вентиль типа Д-7. [22] |
На рис. 4 - 33, б показано устройство одного из плоскостных германиевых диодов. [23]
 |
Вольт-амперная характеристика плоскостного вентиля. [24] |
На рис. 17 - 8, б показано устройство одного из плоскостных германиевых диодов. [25]
 |
Влияние температуры на вольтамперную характеристику кремниевого стабилитрона. [26] |
На рис. 47 дана схема включения кремниевого стабилитрона последовательно с четырьмя плоскостными германиевыми диодами и вольтамперные характеристики цепи при различных температурах окружающей среды. [27]
На рис. 3 - 22, а показаны внешний вид и устройство одного аз видов плоскостного германиевого диода. Диод изготовлен из пластинки кристаллического германия обладающего n - проводимостью. Для получения / - - перехода на поверхности пластинки помещают кусочек индия, который нагревают до расплавления. Атомы расплавленного индия проникают в пластинку германия и образуют объем с р-провфщмостью. На границе этого объема с остальным германием образуется р-п-переход. [29]
 |
Полупроводниковый триод - транзистор ( а и его обозначение на схемах ( б. [30] |
Страницы: 1 2 3 4