Контактный слой
Cтраница 3
 |
Потери информации при разговорном общении. [31] |
В рамках контактного слоя наиболее предпочтительными из четырех классических типов темперамента являются сангвиники и холерики. [32]
В качестве контактного слоя может использоваться молибден. Пленки молибдена обычно наносят с помощью электронного луча. [34]
Если толщина контактного слоя много меньше, чем диффузионная длина носителей в нем, то рекомбинация в основном идет на контакте металл - полупроводник. В общем случае на границе между базой и контактным слоем может существовать потенциальный барьер, который в дальнейшем будем называть внутрибазовым. В частности, внутрибазовый барьер существует при наличии на невыпрямляющем контакте п-п перехода, который также характеризуется [7] скоростью рекомбинации. [35]
Толщина / контактного слоя и его сопротивление при этом уменьшаются. Следовательно, ток может более или менее свободно проходить через р - - переход в направлении от р-к л-полупроводнику. Это направление принято называть пропускным. Таким образом, контакт двух примесных полупроводников с разными знаками носителей заряда обладает односторонней проводимостью. Поэтому полупроводниковое устройство, содержащее один р-л-переход, называется полупроводниковым диодом. [36]
Перед нанесением контактного слоя поверхность магния и его сплавов следует тщательно обезжирить н протравить. [37]
 |
Потери информации при разговорном общении. [38] |
В рамках контактного слоя наиболее предпочтительными из четырех классических типов темперамента являются сангвиники и холерики. [39]
Температура нагрева контактного слоя транзистора не должна быть выше 75 С, поэтому для отвода тепла при пайке выводы транзистора нужно держать у корпуса пинцетом. Паяльник должен быть возможно дальше от транзистора, пайку нужно заканчивать быстрей. [40]
Температура нагрева контактного слоя транзистора не должна превышать 75 С, поэтому для отвода тепла при пайке выводы у корпуса нужно держать плоскогубцами или пинцетом. Паяльник должен быть возможно дальше от транзистора, пайку нужно заканчивать быстрей. Жало паяльника должно быть зачищено и покрыто припоем, который должен быть легкоплавким. [41]
Перемещающийся из контактного слоя пар имеет одинаковое направление с переносимой жидкостью. [42]
Температура нагрева контактного слоя транзистора не должна превышать 75 С, поэтому для отвода тепла при пайке выводы у корпуса нужно держать плоскогубцами или пинцетом. Паяльник должен быть возможно дальше от транзистора, пайку нужно заканчивать быстрей. Жало паяльника должно быть зачищено и покрыто припоем, который должен быть легкоплавким. [43]
Если к контактным слоям подключить батарею так, чтобы ее положительный полюс был соединен с областью р-типа, а отрицательный - с областью п-типа ( рис. 129, 6), то через диод пойдет ток, величина которого зависит от площади прибора и приложенного к нему напряжения. [44]
Образовавшийся в контактном слое у закрытой поверхности пар стремится пройти внутрь материала. В период прогрева этот пар, встречаясь с еще не нагретым материалом, конденсируется вблизи контактного слоя и передает свое тепло материалу, за счет чего последний прогревается более интенсивно. Следующие порции пара все глубже проникают в материал и тоже конденсируются. В конце периода прогрева ( начало первого периода) материал настолько прогревается, что пар, не конденсируясь, преодолев сопротивление его переносу, доходит до внешней поверхности материала и покидает его. [45]
Страницы: 1 2 3 4