Cтраница 1
![]() |
Октаэдрический подслой в структуре брусита. [1] |
Единичные слои собраны в пакет, в котором базальные поверхности параллельны, и образуют кристаллическую решетку. Расстояние между некоторой плоскостью в одном слое и аналогичной плоскостью в другом слое ( рис. 4.6) называется с-рас-стоянием, или базовым расстоянием. [2]
Подслои в единичном слое объединены между собой кова-лентными связями, благодаря чему единичный слой устойчив. В кристаллической решетке слои удерживаются вместе только силами Ван-дер - Ваальса и побочными связями между расположенными рядом атомами. Поэтому кристаллическая решетка легко расщепляется вдоль базальных поверхностей с образованием мельчайших чешуек, напоминающих слюду. [4]
![]() |
Октаэдрический подслой в структуре брусита. [5] |
Отдельная пластинка называется единичным слоем и состоит из следующих элементов. [6]
![]() |
Элементарный состав сажи наиболее распространенных типов ( % но массе. [7] |
Наряду с кристаллитами в частице сажи имеются единичные слои и не входящий в структуру слоя или кристаллита так паз. Неполная валентная насыщенность краевых углеродных атомов обусловливает связь кристаллитов непосредственно друг с другом или через боковые углеводородные цепи. Краевые атомы поверхностного слоя частицы сажи являются активными центрами, в частности центрами окислительных процессов, приводящих к образованию на поверхности частиц различных химич. [8]
![]() |
Элементарный состав сажи наиболее распространен ных типов ( % по массе. [9] |
Наряду с кристаллитами в частице сажи имеются единичные слои и не входящий в структуру слоя или кристаллита так наз. Неполная валентная насыщенность краевых углеродных атомов обусловливает связь кристаллитов непосредственно друг с другом или через боковые углеводородные цепи. Краевые атомы поверхностного слоя частицы сажи являются активными центрами, в частности центрами окислительных процессов, приводящих к образованию на поверхности частиц различных химич. [10]
Приведенные характеристики имеют следующие средние погрешности: средняя толщина единичного слоя, характеризующая производительность, 0.3 мкм; содержание а - А1203, которое показывает содержание непроплавленного в процессе формирования покрытия напыляемого материала, 5 %; коэффициент фильтрации, характеризующий газопроницаемость, 15 % от приводимой величины; пористость 1 %; средняя высота неровностей 0.4 мкм. [11]
![]() |
Схема образца с покрытием ( к расчету остаточных напряжений. [12] |
При напылении в несколько проходов находятся средние остаточные напряжения в единичных слоях, а затем строятся эпюры остаточных напряжений по глубине всего напыленного слоя. [13]
Образование границ между частицами зависит от особенностей их взаимодействия при образовании единичного слоя. При напылении пластичного никеля отмечается 116 ], что все частицы находятся в одинаковых условиях, они одновременно активированы нагревом и пластической деформацией при ударе о поверхность. Одинаковые состав и структура облегчают установление связи между ними. Поэтому на границах между частицами отсутствуют поры, частицы плотно прилегают друг к другу, степень их деформации весьма значительна. Это обусловливает высокую когезионную прочность покрытия. [14]
Подслои в единичном слое объединены между собой кова-лентными связями, благодаря чему единичный слой устойчив. В кристаллической решетке слои удерживаются вместе только силами Ван-дер - Ваальса и побочными связями между расположенными рядом атомами. Поэтому кристаллическая решетка легко расщепляется вдоль базальных поверхностей с образованием мельчайших чешуек, напоминающих слюду. [15]