Отрицательно заряженный слой

Cтраница 1

Отрицательно заряженный слой создает потенциальный барьер, который все более затрудняет выход электронов из кристалла, иначе говоря, увеличивает работу выхода и уменьшает теплоту адсорбции. Следует, однако, указать на существенное обстоятельство: адсорбция на полупроводнике в отличие от металла невозможна до тех пор, пока электроны не будут возбуждены в зону проводимости. [1]

После этого положительно и отрицательно заряженные слои, создающие первичное электрическое поле, удаляются. [2]

Движение слоя жидкости при электроосмозе.| Прибор для демонстрации, явления электроосмоза. [3]

На рис. 95 показано движение отрицательно заряженного слоя жидкости по направлению к аноду. Следует отметить, что при движении слой все время возобновляется. Такое движение электрически заряженной жидкости легко наблюдать в капиллярных трубках или в пористых телах, которые мы можем представить состоящими как бы из массы таких капилляров. [4]

Схема строения соединений графита со щелочными металлами. [5]

В результате образуются положительные ионы щелочных металлов и отрицательно заряженные слои углеродных атомов. [6]

Эквивалентное этим ионам железа количество отрицательных зарядов ( электронов) остается в металле, образуя отрицательно заряженный слой, электростатически удерживающий гидратированные ионы металла на границе раздела металл-жидкость. По причине выхода части ион-атомов железа за пределы электрода и скопления свободных электронов на поверхности металла потенциал последнего сдвигается в отрицательную сторону. [7]

Если адсорбированные молекулы - доноры, они должны давать положительно заряженный слой, если акцепторы - отрицательно заряженный слой. Основная трудность измерений Дф состоит в приготовлении достаточно чистой поверхности металла, а также в тщательной очистке адсорбируемого газа. [8]

Если электроны перешли в эти поверхностные состояния или, как иногда говорят, в поверхностные квантовые состояния, они оказываются связанными в них и могут переходить в объемные состояния только при условии сообщения им дополнительной энергии. В результате на поверхности полупроводника появляется отрицательно заряженный слой электронов. В случае полупроводников с электропроводностью я-типа, из которых, как уже упоминалось, изготавливаются точечно-контактные полупроводниковые триоды, этот отрицательный слой электронов, связанных в поверхностных состояниях, в совокупности со слоем положительно ионизированных донорных атомов, находящихся вблизи поверхности, образует потенциальный барьер, изображенный на фиг. Такой барьер должен оказывать такое же действие, как и / - я-переход, работа которого обсуждалась в связи с фиг. [9]

Изобары электропроводности для адсорбции кислорода при давлении 60 мм рт. ст.| Изобары электропроводности для адсорбции метанола при давлении 30 мм рт. ст. [10]

Хемосорбция кислорода на V205, являющейся полупроводником п-типа, может происходить путем переноса квазисвободных электронов в решетке. Адсорбция значительного количества кислорода приводит к образованию отрицательно заряженного слоя на поверхности и положительно заряженной кристаллической решетки. Такое разделение зарядов может препятствовать дальнейшей адсорбции кислорода. В кристаллической решетке V206, содержащей ионы V4 1, поверхностные ионы кислорода могут мигрировать в решетку и превращать четырехвалентный ванадий в пятивалентный, тем самым нейтрализуя заряд. Таким образом, наличие ионов V4 в V205 облегчает хемосорбцию кислорода. [11]

Ацетатцеллюлозные мембраны не пригодны для этой задачи, так как задерживают примерно в равной степени катионы и анионы. Используя же дисперсные добавки, образующие на пористых подложках положительно или отрицательно заряженный слой, можно добиться соответственно отделения только катионов или анионов. [12]

На границе раздела металл - электролит всегда образуется распределение электрического заряда в виде двойного электрического слоя. Положительно заряженный слой создается остовами атомов, находящимися в узлах кристаллической решетки и образующих границу раздела, отрицательно заряженный слой образуется электронами проводимости, расположенными в междуузлиях кристаллической решетки. [13]

Магнитные свойства определяются в первую очередь неспаренными. Величина % должна уменьшиться при образовании ковалентной адсорбционной связи или положительно заряженного адсорбированного слоя я увеличиться при образовании отрицательно заряженного слоя. [14]

После охлаждения образца до комнатной температуры к.р.п. оставалась значительно более низкой, чем она была до прогрева. Все это - свидетельствует о том, что при хемосорбции кислорода на серебре молекулы первого оттягивают электроны из кристаллической решетки серебра, заряжаясь отрицательно и создавая на поверхности серебра отрицательно заряженный слой. [15]

Страницы: 1 2