Меднозакисный диод
Cтраница 1
Меднозакисный диод представляет собой пластинку из чистой меди, на которой после нагрева до температуры 1020 - 1040 С и быстрого охлаждения в воде образуется слой закиси меди ( Си2О) толщиной примерно 0 1 мм. Между медью и закисью меди создается запирающий слой, благодаря которому электрическая проводимость в направлении от закиси меди к меди значительно больше, чем в обратном направлении. [1]
 |
Вольт-амперная хара - больших обратных напряжениях ктеристика вакуумного диода. пробивается запирающий слой. Для. [2] |
Значение емкости меднозакисных диодов достигает 60 пф / мм, что ограничивает частотный диапазон их работы верхним пределом 2500 - 5000 гц. [3]
 |
Семейство статических вольтамперных характеристик меднозакнсного диода.| Вольтамперные харак теристики полупроводниковых выпрямителей. [4] |
Электрические свойства меднозакисных диодов во многом схожи со свойствами селеновых. На рис. 11 - 73 представлено семейство статических вольтамперных характеристик меднозакисных диодов. С повышением температуры окружающей среды сопротивление диода прямому току убывает, при понижении температуры возрастает и при температуре примерно - 30J С выпрямитель перестает работать. [5]
 |
Зависимость электропроводности закиси меди от интегрального потока быстрых нейтронов. [6] |
Во всех работах указывается, что селеновые и меднозакисные диоды исключительно чувствительны к излучению. [7]
В формуле для R0Qp знак соответствует меднозакисным диодам, а знак - - остальным. [8]
В измерительной технике используются, в основном, меднозакисные диоды. Зависимость их сопротивления от приложенного напряжения изображена на фиг. [9]
Золотопроволочные дио-лы, которые, как уже отмечалось, являются наиболее предпочтительными для измерительной техники, могут применяться до частот порядка многих мегагерц, при этом емкость запирающего слоя еще не проявляется как реактивное сопротивление, в то время как граничная частота меднозакисного диода в зависимости от размеров вентиля лежит около нескольких тысяч герц. [10]
 |
Семейство статических вольтамперных характеристик меднозакнсного диода.| Вольтамперные харак теристики полупроводниковых выпрямителей. [11] |
Электрические свойства меднозакисных диодов во многом схожи со свойствами селеновых. На рис. 11 - 73 представлено семейство статических вольтамперных характеристик меднозакисных диодов. С повышением температуры окружающей среды сопротивление диода прямому току убывает, при понижении температуры возрастает и при температуре примерно - 30J С выпрямитель перестает работать. [12]
 |
Прямое и обратное включение диода.| Плоскостной и точечный диоды. [13] |
В точечных диодах запирающий слой образуется в точечном контакте металла с полупроводником. Поверхность соприкосновения при этом составляет всего несколько десятков квадратных микрон, поэтому такие диоды могут быть использованы для выпрямления только очень малых токов. Плоскостные диоды мсгут иметь большую поверхность соприкосновения ( порядка нескольких квадратных миллиметров) и Применяются для выпрямления больших токов, чем точечные. Но большая поверхность соприкосновения обусловливает большую входную емкость плоскостных диодов, что затрудняет применение их при повышенной частоте. По этим соображениям селеновые и меднозакисные диоды, применяемые в цепях низких частот, выполняются только плоскостными, а германиевые и кремниевые, предназначенные для работы как в цепях низких, так и высоких частот, выполняются в виде точечных и плоскостных. [14]
На рис. 4 6 представлено устройство селенового диода, в котором запирающий слой возникает между верхней плоскостью селенового слоя и электродом. В качестве основания для селена используется железо или алюминий. Нанесение на него поверхностного слоя из никеля или висмута приводит к образованию селенида и тем самым существенно улучшает переход к слою селена. Селен обычно наносится на основание распылением в вакууме. В последнее время метод распыления часто применяется для получения разнообразных слоев с различными присадками, благодаря чему удается получить более крутую характеристику по сравнению с той, которая обеспечивалась при старой технологии, а тем самым и более высокую перегрузочную способность диода. Съемные электроды меднозакисных диодов выполняются, как правило, из серебра, которое наносится опрыскиванием после вытравливания оксидного слоя. Съемные электроды в селеновых диодах должны выполняться из материалов, которые в паре с селеном образуют запирающий слой; особенно пригодным для этой цели является кадмий, который наносится в качестве противо-электрода один или в соединении с другими металлами. [15]
Страницы: 1