Крайний слой

Cтраница 2

Переход, работающий в прямом направлении, называется змиттерным, а соответствующий крайний слой - эмиттером. Такое название, как и у диодов, отражает факт инжекции неосновных носителей через переход. Средний слой называется базой. Второй переход, нормально смещенный в обратном направлении, называется коллекторным, а соответствующий крайний слой - коллектором. [16]

Упрощенная структура плоскостного транзистора.| Условны обозначения транзи сторов. [17]

Переход, работающий в прямом направлении, называется эмиттерным, а соответствующий крайний слой - эмиттером. Такое название, как и у диодов, отражает факт инжекции неосновных носителей через переход. Средний слой называется базой. Второй переход, нормально смещенный в обратном направлении, называется коллекторным, а соответствующий крайний слой - коллектором. Это название отражает функцию собирания инжектированных носителей, прошедших через слой базы. [18]

Схема перемещения шаров в мельнице. [19]

Формула ( НО) исходит из условия наивыгоднейшей работы одного лишь крайнего слоя шаров. [20]

Расчет балок при поперечном изгибе производится по максимальным нормальным напряжениям в крайних слоях, где нет касательных напряжений, по формуле, выведенной для случая чистого изгиба. [21]

Транзистор состоит из трех слоев кристал ла германия или кремния, причем крайние слои имеют один тип проводимости, а средний слой обладает проводимостью другого типа. На рис. 48, а показано расположение электродов плоскостного транзистора, а на рис. 48, б - конструкция плоскостного транзистора. [22]

Трущиеся поверхности сопряженных деталей, находящихся на воздухе, имеют сложную структуру: крайний слой, непосредственно соприкасающийся с воздухом, - это адсорбированные молекулы воздуха и паров воды, а под ним находится второй слой в виде пленки окислов, толщина которой равна 10 - 20 междумолекулярным расстояниям. [23]

Схема перемещении тарой в мельнице. [24]

Формула ( 5 - 20) выведена из условия наивыгоднейшей работы одного лишь крайнего слоя шаров. [25]

Зная изгибающие и крутящие моменты в пластинке, легко определить нормальные и касательные напряжения в крайнем слое. По этим напряжениям можно оценить несущую способность пластинки и довольно условно момент ее разрушения. [26]

При этом материал во внутренних слоях ( j jt) находится в упругом состоянии, а в крайних слоях ( j jt) - в пластическом. [27]

Для выбранных значений параметров при малых временах по-луцпкла температура на выходе из центрального слоя всегда остается достаточно низкой, и поэтому в крайних слоях через несколько переключений устанавливается низкотемпературный режим. Эффективно работает лишь центральная часть. При времени полуцикла больше 42 мин происходит затухание процесса в центральной части слоя, и, как следствие, во всем реакторе устанавливается температура, равная входной. В интервале tc 28 - 42 мин реализуются высокотемпературные режимы во всех частях слоя. Средняя степень превращения незначительно зависит от времени полуцикла. [28]

Для выбранных значений параметров при малых временах полуцикла температура на выходе из центрального слоя всегда остается достаточно низкой, и поэтому в крайних слоях через несколько переключений устанавливается низкотемпературный режим. Эффективно работает лишь центральная часть. [29]

Стыки досок и брусков по длине клееных прямолинейных растянутых элементов в растянутой зоне изгибаемых элементов ( на глубину Vm высоты сечения) и в крайних слоях сжатых элементов осуществляются на ус или на зубчатый стык. Длина уса и размеры зубцов должны обеспечивать равнопрочность стыка с цельной древесиной. [30]

Страницы: 1 2 3 4