Центральный слой

Cтраница 2

В отсутствии центрального слоя графита пересыщение С ( Т) - СА ( ТХ) на фронте роста индивидов, перемещающемся в слой металла, снижается. Этим наряду с общим падением пересыщения в реакционном объеме и обусловлено монотонное уменьшение скорости роста кристаллов. [16]

Возникающие в центральных слоях волокон внутренние напряжения приводят к образованию пористой структуры, характер которой может быть самым различным. Так, например, для вискозных волокон характерно образование лор и трещин вдоль оси волокон; для полиакрилонитрильиых более характерны радиальные трещины, а поливинилспирггавые волокна часто содержат поры округлой формы. [17]

Движение носителей заряда в полупроводниковом триоде. [18]

У полупроводниковых триодов центральный слой называется базой. Один из наружных слоев, являющийся источником зарядов ( электронов или дырок), которые главным образом и создают ток прибора, называется эмиттером. Другой наружный слой называется коллектором. Он принимает заряды, поступающие от эмиттера. [19]

Естественно, что центральные слои при инфракрасной выпечке значительно скорее прогреваются до температуры - 95 - И00 С, характеризующей готовность изделия. [20]

При прямой ликвации центральные слои отливки обогащены примесями, пон-ижающими температуру плавления сплава. [21]

Диод с тонким л-слоем и электрическое поле в нем при обратном напряжении.| Структура диода с тонким / - слоем и электрическое поле в нем. [22]

Если концентрация примеси в центральном слое диода, показанном на рис. 2.3, составляет ND 1014 / см3, каково соотношение между пробивным напряжением и шириной центрального слоя, который обозначим как Wv1 Принимаем, что все напряжение приходится на v область. [23]

Получены напряжения на внутренней поверхности центрального слоя в середине многослойной царги и на стыке с кольцевым швом. [24]

За счет энергообъема между слоями газа центральные слои приобретают пониженную, а периферийные - повышенную по сравнению с исходной температуры торможения. [25]

Типичные температурные кри - СТОЯННОЙ температурой И. [26]

Начиная с первой критической точки, температура центрального слоя также повышается, но более медленно и вновь возникает разность температуры между поверхностными и центральными слоями. [27]

При таком течении происходит перенос импульса от центрального слоя газа, где скорость наибольшая, к слоям, движущимся с меньшей скоростью. [28]

Отсюда следует, что для муль-тислоев, симметричных относительно центрального слоя, можно дсь стичь высокой прозрачности, если добиться выполнения этого условия за счет изменения относительной фазовой толщины. Эти системы ведут себя аналогично интерферометрам Фабри - Перо. Изменение расстояния между симметричными мультислоями позволяет управлять частотами, при которых достигаются максимумы пропускания ( см. разд. [29]

Таким образом, предложенная модель трехслойного диэлектрика с движущимся центральным слоем позволяет описать закономерности, наблюдаемые для нестационарного инжекционного тока из аидкого электрода через жидкий диэлектрик. [30]

Страницы: 1 2 3 4