Аналогичный слой

Cтраница 1

Аморфизация поверхностного слоя кремния в результате ионной имплантации. [1]

Аналогичные слои возникают и при дроблении кристалла. [2]

Аналогичный слой формируется в натурных условиях над ровной однородной шероховатой подстилающей поверхностью. [3]

Показать, что аналогичный слой, построенный от любого другого параллелоэдра разбиения, не входящего в первый слой, не пересекает первого слоя. [4]

На рис. 351 наблюдаются аналогичные слои структуры. Однако глубина залегания белого слоя несколько уменьшается, сам слой становится более уплотненным и равномернее распределяется по периметру желоба. Под белым слоем микродефектов структуры значительно меньше. [5]

На поверхности фронта кристаллизации образуется пограничный слой толщиной бк; аналогичный слой, но толщиной 6Т, образуется на дне тигля. [6]

Если брусок изготовлен из однородного упругого материала, то, выделяя каждый раз аналогичный слой все ближе и ближе к нижнему концу бруска, мы увидим, что значение силы тяжести, создающей давление на выделенный слой, по мере его опускания увеличивается по линейному закону. На нижней торцовой поверхности бруска результирующая сил упругости становится равной силе тяжести, действующей на весь брусок. [7]

На мягком известково-натриевом стекле при травлении газообразным хлоридом водорода образуется слой кристалликов хлорида натрия, на твердом стекле типа пирекса аналогичный слой можно получить непосредственным нанесением хлорида натрия. [8]

Плотноупакованный слой идентичных шаров может образоваться, как показано на рис. 22.20, а, и в углублениях этой решетки может уложиться аналогичный слой. Третий слой может разместиться сверху этого слоя двумя различными способами. Если он размещен так, что воспроизводит первый слой ( и поэтому при продолжении этого процесса образуется слоистая структура, которую можно представить как АВАВАВ... [9]

Плотноупакованный слой идентичных шаров может образоваться, как показано на рис. 22.20, а, и в углублениях этой решет - может уложиться аналогичный слой. Третий слой может разместиться сверху этого слоя двумя различными способами. Если он размещен так, Что воспроизводит первый слой ( и поэтому при тродолжеции этого процесса образуется слоистая структура, ко-орую можно представить как АВАВАВ... [11]

Аналогичные слои песчаника и глинистого сланца образуют зону Баррен между зоной Морган и песком джонс. Этот песок является вторым по своему значению нефтеносным горизонтом в месторождении и очень интересен. Карта равных мощностей показывает, Что песок, по-видимому, является баром мощностью до 24 4 м вблизи оси, выклинивающимся к периферии. Карта по кровле песка джонс является псевдоструктурной. [12]

Из числа координационно-равных структур особое место принадлежит плотнейшим упаковкам. Следующий аналогичный слой будет наложен на первый наиболее плотно если его шары окажутся над лунками ( промежутками), возникающими между шарами первого слоя. [13]

Кроме того, используются диоды на основе р-п переходов и переходов металл - полупроводник ( диоды Шотки), полупроводниковые резисторы, пленочные резисторы ( в совмещенных микросхемах), изготавливаемые, например, в поликристаллическом слое кремния, и в редких случаях - конденсаторы небольшой емкости. Другие элементы формируются в аналогичных слоях одновременно с транзисторами. Использование пассивных элементов ( резисторов, конденсаторов) ограничено, так как по сравнению с транзисторами они занимают большую площадь на кристалле. [14]

На рис. 315f показана схема одной из плоскостей скольжения кристалла каменной соли, на которой ( - ( -) обозначены положительные ионы Na, а ( - ) - отрицательные ионы СГ. Над и под изображенным на чертеже слоем ионов следуют аналогичные слои, в которых, однако, положительные и отрицательные ионы обмениваются своими местами. Сплошной стрелкой указано одно из возможных направлений скольжения. При движении одного из слоев по отношению к другому в этом направлении будет наблюдаться лишь периодическое возрастание и убывание сил взаимного притяжения между слоями. [15]

Страницы: 1 2