Узкий слой

Cтраница 2

T - С / QD) прогревается только узкий слой в частице у ее поверхности. [16]

При высоких частотах переменное электромагнитное поле занимает достаточно узкий слой у поверхности проводника, не проникая вглубь. Явление неравномерного распределения поля по сечению проводника называется поверхностным эффектом. [17]

Поверхность раздела между жидкостью и паром представляет собой узкий слой, в котором плотность вещества меняется быстро, но непрерывно от значения, соответствующего плотности жидкости, до значения, соответствующего плотности пара. [18]

Пространственное изменение джо-зсфсоновского туннельного тока в магнитном полг.| Сравнение экспериментальной и теоретической температурных зависимостей постоянного джозефсоновского тока для переходов симметричного Sn - Sn и асимметричного Pb - Sn. [19]

В этом случае ток протекает только в узком слое по периметру перехода. [20]

Электроны с локальных уровней, расположенных в узком слое шириной kT ( малое экранирование Me-Ме - связей), могут легко возбуждаться, переходя на локальные уровни, лежащие выше уровня Ферми, что в свою очередь может привести к его смещению в область больших энергий. [21]

Внешний вил и распределение напряженности электрическою поля ч тлеющем разряде в трубке. / - катодный слой. 2-тлеющее свечение. 3 - фаралеево темное пространство. 4 - положительный столб. 5 - анодный слой. [22]

Это свечение обусловлено большим падением потенциала в узком слое объемного заряда вблизи катода. Вблизи анода также имеется тонкий слой объемного заряда, наз. [23]

При сводовом отоплении выгорание топлива происходит в сравнительно узком слое газов, непосредственно примыкающем к своду ( 200 - 250 мм), продукты сгорания движутся в нижние зоны и направляются в убирающий тракт печи. На участках боковых горелок ( III-V) выгорание топлива происходит в большей части объема, примыкающего к поверхности металла. [24]

Резистивные неустойчивости с ( а малыми и ( б большими длинами волн в токовом слое или магнитном поле с широм, где х ( или г в цилиндрической геометрии - координата, перпендикулярная равновесному магнитному полю. [25]

Конечное значение электрической проводимости необходимо учитывать только в узком слое толщиной el ( & /) - 3 / 5 ( rA / Td) - 2 / 5 / возле центра токового слоя, где значение магнитного поля стремится к нулю. В этой узкой области магнитное поле может быстро просачиваться через плазму. В результате, если в начальной конфигурации одномерного токового слоя с прямыми линиями магнитного поля возникает некое возмущение, аналогичное изображенному на рис. 6.1 б, то такое возмущение будет расти со временем. Силы магнитного натяжения стараются оттолкнуть образовавшиеся магнитные петли вверх и вниз от Х - точек, а градиент магнитного давления подталкивает плазму с каждой стороны слоя к Х - точкам. Кроме того, силовые линии поля по бокам от Х - точки будут изгибаться и таким образом приводить к возникновению возвращающей силы натяжения, которая имеет минимальную величину для больших длин волн. [26]

Видно, что в местах, где луч пересекает узкий слой, скорость v вдоль винтовой линии резко увеличена, а скорость поперек близка к нулю. Это показывает, что узкие слои сильно ускоряют частицы плазмы по касательной к магнитным поверхностям. [27]

По своему смыслу активированные состояния являются приближенной границей - узким слоем ( s) фазового пространства внутримолекулярных степеней свободы, который отделяет активные состояния молекулы от состояний продуктов реакции и прохождение через который означает необратимую реакцию. Эти две обобщенные координаты называют координатой ( или координатами) реакции. [28]

Этому способствует также отталкивание электронов двух обкладок, разделенных узким слоем диэлектрика. [29]

Приведенные в (5.1.54), (5.1.55) части скоростей затухают в узких слоях вблизи поверхности раздела сред. [30]

Страницы: 1 2 3 4