Барьерный слой

Cтраница 2

Зависимость С и tg 6 конденсатора миниконд от напряжения переменного тока при частоте 1 кГц. Масштаб по оси абсцисс логарифмический. [16]

Конденсаторы с барьерным слоем в различных конструктивных выполнениях выпускаются под названиями: варикап, семикап, ультракап, транскап, миниконд и др. Они являются чрезвычайно перспективными для различных устройств микроэлектроники. [17]

Покрытие служит барьерным слоем под покрытия золотом, серебром, сплавом олово-свинец и другими металлами, предотвращая диффузию меди, цинка, железа и других металлов. [18]

На ней представлен барьерный слой между двумя сверхпроводниками, вмещающий дробное число квантов потока. [19]

Таким образом, никелевый барьерный слой предотвращает диффузию элементов с большим сродством к кислороду в наружный слои, который представляет собой твердый раствор переменного состава никель-палладий. [20]

Качественная оценка гальванической совместимости различных металлов и эпоксидного углепластика. [21]

Материал несовместим без барьерного слоя. [22]

Изменение поляризационного г п., омического rs сопротивлений и емкости двойного электрического слоя С в процессе заряда серебряного электрода ( г 5 мА / см2.| Изменение поляризационного га, омического rs сопротивлений и емкости двойного электрического слоя С в процессе разряда серебряного электрода ( i 5 мА / см2. [23]

Для выяснения природы барьерного слоя были измерены в процессе заряда и разряда изменения емкости двойного электрического слоя и омического rs и поляризационного гп сопротивлений. Емкость двойного слоя С определялась с помощью фазочувствительного вольтметра В5 - 1, омическое сопротивление измерялось по величине амплитуды импульсов частотой 100000 Гц, поляризационное - по разнице между полным сопротивлением, определяемым по величине импульсов частотой 10 Гц, и омическим. В табл. 47 приведены результаты измерений этих параметров при заряде. [24]

Исследование образцов с барьерным слоем методом локального рентгеноспектрального анализа показало, что легирующие элементы сплава ( Cr, Si, Ti, A1) находятся в переходной зоне сплав - никель, а в слое никель-палладий они отсутствуют, в связи с чем кремний не восстанавливается из стеклосвязки. [25]

Зависимость фототока от светового потока для типового фотогальванического ( селенового с барьерным слоем элемента.| Спектральная характеристика системы. источник. Р-17 - фильтр - человеческий глаз.| Спектральная характеристика системы. источник Р-17 - фильтр - фотопроводящий чувствительный элемент. [26]

Фотогальванические элементы с барьерным слоем из селена используются главным образом в электроэкспонометрах и чувствительных реле. Чувствительность элемента, замкнутого накоротко, лежит в диапазоне от 150 до 600 мка / лм; при этом достигаются мощности от 40 до 60 мквт / лм при уровне освещенности в 1000 лк. [27]

Прямое включение перехода металл - полупроводник n - типа при фпфм.| Обратное включение. [28]

Такой слой называют химическим барьерным слоем. [29]

Зависимость логарифма плотности анодного тока от изменения электродного потенциала титанового электрода со стационарной пассивной пленкой, сформированной при различных потенциалах ( 0 7, 1 0 и 1 4 В в 40 % - ной H2SO4 при 80 С. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5