Cтраница 4
Допускается промазка скрученных жил силовых кабелей полупроводящим составом. Следует также отметить, что у силовых кабелей на 6 кв должны быть наложены полупроводящие слои поверх токопроводящей жилы и поверх изоляции. Толщина этих слоев не нормируется. [46]
![]() |
Изоляционный остов с конденсаторными обкладками. [47] |
Очевидно, что чем больше проводимость слоя, тем меньше падение напряжения вдоль поверхности. С другой стороны, проводимость слоя должна быть достаточно мала, чтобы на конце полупроводящего слоя напряжение было существенно меньше напряжения электрода. [48]
![]() |
Зависимость s от температуры у MgO. [49] |
Влияние температуры на вторичную эмиссию сложных эмиттеров было установлено разными исследователями. Изменение величины о под действием температуры, по-видимому, обусловлено изменением концентрации электронов проводимости в полупроводящих слоях. Так как концентрация электронов проводимости в полупроводниках сильно зависит от температуры, то в случае сложных катодов с полупроводящими слоями следует ожидать значительно большей зависимости о от температуры, чем в случае металлов. Экспериментальные данные согласуются с этим предположением. [50]
Селеновые фотоэлементы обладают малой инерцией. Однако при переменном световом потоке ( особенно при включении фотоэлемента на усилитель) необходимо учитывать собственную емкость фотоэлемента ( образованную электродами, разделенными тонким полупроводящим слоем), значительно большую, чем емкость фотоэлементов с внешним фотоэффектом. Эту емкость следует считать включенной параллельно внутреннему сопротивлению ( запирающего слоя) фотоэлемента. [51]
Чувствительная часть фотоэлемента с запирающим слоем состоит из металлической пластинки, на которую нанесен слой полупроводника, например закиси меди или селена. Полупроводящий слой в свою очередь покрывают пленкой серебра или другого металла настолько тонкой, чтобы она была прозрачна и в то же время могла служить электрическим контактом. Когда лучистая энергия падает на фотоэлемент, проходя через прозрачную поверхность, между металлической пластинкой и поверхностным электродом возникает разность потенциалов, причем электрод заряжается отрицательно. Селеновый элемент может применяться для участка спектра 300 - 800 rrijj. Фотоэлемент можно использовать двояко: измерять или потенциал, или силу тока, вызываемого фотоэлементом в цепи с малым сопротивлением. На практике более распространен последний способ. [52]
Чувствительная часть фотоэлемента с запирающим слоем состоит из металлической пластинки, на которую нанесен слой полупроводника, например закиси меди или селена. Полупроводящий слой в свою очередь покрывают пленкой серебра или другого металла настолько тонкой, чтобы она была прозрачна и в то же время могла служить электрическим контактом. Когда лучистая энергия падает на фотоэлемент, проходя через прозрачную поверхность, между металлической пластинкой и поверхностным электродом возникает разность потенциалов, причем электрод заряжается отрицательно. Селеновый элемент может применяться для участка спектра 300 - 800 тц с максимальной чувствительностью в области 500 - 600 nyi. Фотоэлемент можно использовать двояко: измерять или потенциал, или силу тока, вызываемого фотоэлементом в цепи с малым сопротивлением. На практике более распространен последний способ. [53]
Основным вопросом при разработке силовых кабелей с полиэтиленовой изоляцией на напряжение 10 кв и выше является выбор экранов. Экран должен быть хорошо связан с полиэтиленовой изоляцией или по крайней мере иметь температурный коэффициент объемного расширения, близкий к температурному коэффициенту полиэтилена с тем, чтобы при циклической нагрузке кабелей между полупроводящими слоями и изоляцией не образовывались пустоты. Полупроводящие слои могут быть выполнены из специальных бумаг, полупроводящего полиэтилена или методом распыления. Выбор экранов из полупроводящих бумаг обусловлен небольшой толщиной бумажных лент и удобством их наложения одновременно со скруткой токопроводящих жил. Недостатками экрана такого типа являются малая механическая прочность бумаги, особенно при перегибах кабеля, неравномерность слоя в местах перекрытия ленты и гигроскопичность. Свободны от этих недостатков экраны из полупроводящего полиэтилена, накладываемого методом шприцевания или обмоткой лентами. [54]
![]() |
Схема фотоэлектрического фотометра с одним фотоэлементом. [55] |
Чувствительная часть фотоэлемента с запирающим слоем состоит из металлической пластинки, на которую нанесен слой полупроводника, например закиси меди или селена. Полупроводящий слой в свою очередь покрывают пленкой серебра или другого металла, настолько тонкой, чтобы она была прозрачна и в то же время могла служить электрическим контактом. Когда лучистая энергия падает на фотоэлемент, проходя через прозрачную поверхность, между металлической пластинкой и поверхностным электродом возникает разность потенциалов, причем электрод заряжается отрицательно. [56]
При применении экранов только из полупроводящей бумаги сажа из последней, растворяясь в масле, проникает в изоляцию кабеля, вследствие чего увеличивается тангенс угла диэлектрических потерь основной изоляции. Во избежание этого для экранов высоковольтных кабелей применяется специальная двухслойная изоляционная бумага с полупроводящим слоем с одной стороны. Бумага накладывается полупроводящим слоем к жиле или оболочке кабеля, и изоляционный слой препятствует миграции сажи в основную изоляцию. [57]
Изоляция из сшитого полиэтилена ( XLPE) типа DIX8, согласно DIN VDE 0276 - 620 часть. Полупроводящая лента геликоидально обвита вокруг полупроводящего слоя. [58]
Для соединения пьезоэлектрического вибропреобразователя с измерительным пультом нужно применять специальный антивибрационный кабель. При механических деформациях обычного кабеля на поверхности его изоляции возникают электрические заряды, которые могут исказить выходной сигнал пьезоэлектрического вибропреобразователя. В антивибрационном кабеле изоляция покрывается специальным полупроводящим слоем, который препятствует возникновению паразитных зарядов. [59]
Изоляция из сшитого полиэтилена ( XLPE) типа DIX8, согласно DIN VDE 0276 - 620 часть. Полупроводящая водонабухающая лента гели-коидал Ьно обвита около полупроводящего слоя. [60]