Фотополупроводниковый слой

Cтраница 1

Фотополупроводниковый слой, применяемый для электрографической регистрации, должен иметь достаточно высокое удельное темновое сопротивление ( 1013 - 1016 ом-см) и изменять свои проводящие свойства под действием света. Такими свойствами обладают тонкие слои селена, окиси цинка, окиси сернистого кадмия и др. В качестве подложки, на которую наносится светочувствительный слой, может использоваться любой материал, удельное сопротивление которого на несколько порядков ниже удельного темнового сопротивления фотополупроводникового слоя. К таким материалам относятся латунь, алюминий, нержавеющая сталь и бумага. [2]

Фотополупроводниковые слои, в отличие от галогенидо-серебряных слоев, не чувствительны к свету. Засветка для них не страшна, и всяческие предосторожности, столь хорошо знакомые каждому фотолюбителю, здесь излишни. Электрофотографические пластины и бумаги изготавливают и хранят на свету. [3]

Блок-схема устройства с электрофотографической. [4]

Заряженный фотополупроводниковый слой становится светочувствительным и подвергается экспозиции от движущегося по строке вдоль образующей барабана развертывающего элемента. Так как фотопроводимость тем больше, чем больше количество освещения, получаемое элементом светочувствительного слоя, то равномерно заряженный слой фотополупроводника начинает терять заряды неравномерно. В местах, получающих большие количества освещения, фотопроводимость имеет большую величину и элемент фотополупроводникового слоя успевает за время экспозиции потерять большое количество зарядов; в малоосвещенных местах утечка зарядов мала и потенциалы мало меняются за время экспозиции. В результате записи на фотополупроводниковом слое возникает скрытое электростатическое изображение передаваемого объекта. [5]

Электрофотографический фотополупроводниковый слой /, нанесенный на основу 2, образующую материал копии ( рис. 4.2, а) либо промежуточного носителя, подвергается в темноте воздействию электризатора 3 ( рис. 4.2, б), на который подается высокий положительный потенциал. В небольшом объеме воздуха вблизи электризатора происходит ионизация воздуха, диссоциация молекул азота и кислорода. В результате около электризатора образуются ионное облако или корона. Образовавшиеся ионы оседают на полупроводниковом слое. Под действием поверхностных зарядов внутри него возникает равномерное положительно заряженное электростатическое поле, способное существовать несколько часов. Благодаря фотопроводимости электрофотографического слоя происходит утечка электростатических зарядов в основу на тех участках поверхности фотополупроводника, которые подверглись воздействию света. Плотность электростатических зарядов обратно пропорциональна поглощаемому количеству света. [6]

Здесь фотополупроводниковый слой под воздействием электростатической зарядки становится светочувствительным. При вспышке лампы 6 на фотополупроводниковом слое образуется скрытое изображение, которое проявляется мокрым способом в проявляющем устройстве. В качестве проявляющего состава применяется суспензия типографской краски в растворителе. При дальнейшем продвижении бумаги от проявляющего устройства 7 до приемной катушки 8 происходит полное высыхание, и закрепление изображения. [7]

Блок-схема импульсного электроагрегата для питания электрофильтров. 1 - регулятор напряжения. а - источник питания пост, током. 3 - пульт управления. 4 - дроссель. 5 - заряжающий диод. 6 - конденсатор. 7 - вращающийся искровой переключатель. 8 - выходной диод. 0 - импульсный тр-р. 10 - электрофильтр. 11 - диод, стабилизирующий форму кривой импульсов. [8]

На фотополупроводниковый слой, находящийся в контакте с диэлектриком, обладающим меньшим но величине темновым электрич. Очевидно, что в неосвещенных участках напряжение, приходящееся на диэлектрик, близко к нулю. [9]

Блок-схема импульсного электроагрегата для питания электрофильтров. 1 - регулятор напряжения. 2 - источник питания пост, током. з - пульт управления. 4 - дроссель. 5 - заряжающий диод. в - конденсатор. 7 - вращающийся искровой переключатель. 8 - выходной диод. я - импульсный тр-р. 10 - электрофильтр. 11 -диод, стабилизирующий форму кривой импульсов. [10]

На фотополупроводниковый слой, находящийся в контакте с диэлектриком, обладающим меньшим по величине темповым элоктрич. Очевидно, что в неосвещенных участках напряжение, приходящееся на диэлектрик, близко к пулю. [11]

Общая светочувствительность фотополупроводникового слоя может быть повышена путем сдвига максимума спектральной чувствительности в сторону длинноволновой части спектра. [12]

Участок электрофотографической пластины, подвергнутый электризации с коммутирующим устройством ( справа и без него.| Коронный электризатор с коммутирующим устройством. [13]

Проводящую подложку 16 фотополупроводникового слоя 17 в процессе электризации необходимо заземлить. На рисунке показан момент, когда переключатель 15 подключил высокое напряжение к четным иглам. [14]

Металлические опилки неизбежно царапают фотополупроводниковый слой. Поэтому способ магнитной кисти можно рекомендовать лишь для проявления электрофотографических бумаг, используемых однократно. Проявление способом магнитной кисти легко механизировать с помощью приспособления, перемещающего магнит с опилками и красителем вдоль и поперек фотополупроводникового слоя. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5