Cтраница 1
![]() |
Схема получения электрофотографич. изображения. а - электризация, б - экспонирование, в - сухое проявление, г - электронное считывание, д - перенос изображения на несветочувствительную подложку. [1] |
Селеновые слои изготовляются методом вакуумного распыления на металлич. Испарение Se производится при вакууме - 10 3 - КГ4 мм рт. ст. на подложки, находящиеся при темп - pax от 20 до 50 С; скорость напыления неск. Такие слои довольно прочно пристают к металлич. Они характеризуются высоким удельным темновым электросопротивлением 1012 - 1013 ом см и значительной фотоэлектрич. Если в селеновые слои в качестве примеси ввести в значит, количествах Те ( - Ю %), то их интегральная чувствительность в видимой области спектра повысится. Обычно толщина селеновых ( селен-теллуровых) электрофотографич. [2]
Селеновые слои, используемые в выпрямителях, не являются монокристаллическими, а состоят из отдельных очень мелких зерен. Возможно, что разрывы кристаллической решетки на границах зерен являются причиной появления у селена некоторых свойств, не укладывающихся в рамки изложенного выше представления о полупроводниках. [3]
Селеновые слои, имеющие гладкую зеркальную поверхность, напротив, обеспечивают качественный перенос значительной части красочного слоя. [4]
Селеновый слой пластины не должен иметь отслоений и трещин. Допускается отламывание краев слоя размером не более 3 мм. На рабочей площади слоя допускается наличие мелких точек, кратеров и других дефектов. [5]
Электрофотографические селеновые слои, как и обычные галогенидосеребряные несенсибилизированные слои, чувствительны далеко не ко всем областям спектра. Максимум спектральной чувствительности лежит в сине-фиолетовой зоне спектра в пределах 360 - 450 ммк. Селеновые слои чувствительны и к рентгеновым лучам, что объясняет их применение в рентгенографии. [6]
![]() |
Аппарат РЭМ-400 К. [7] |
Зарядка селенового слоя осуществляется электризатором зарядки, а проявление скрытого электростатического изображения - узлом каскадного проявления. [8]
В случае селенового слоя, работающего преимущественно в условиях положительной зарядки, при проявлении по схеме позитив - позитив проявляющий порошок в контакте с носителем должен приобретать отрицательный знак заряд, а при проявлении по схеме негатив - позитив - положительный. [9]
При механической очистке селеновый слой после длительной эксплуатации покрывается тонкой и прочной пленкой проявителя, которая образуется в процессе трения из-за локального нагрева поверхности селеновой пластины. Для удаления этой пленки слой необходимо периодически промывать спиртом. [10]
![]() |
Статическая вольт-амперная характеристика селенового эле. [11] |
Затем на поверхность селенового слоя наносится верхний электрод из кадмия, висмута и олова. При этом достигаются две цели: создается второй электрод и подготовляются условия для создания в толще селенового слоя р - п-перехода. [12]
Затем на поверхность селенового слоя наносится проявляющая смесь, состоящая из тонкоизмельченного красящего порошка - смешанного с носителем. [13]
При проявлении на селеновом слое радужных пятен промывку спиртом повторяют. [14]
В ксерорадиографических пластинах между селеновым слоем и алюминиевой подложкой нанесен слой олова, играющий роль усиливающего заднего металлического экрана. [15]