Поглощающий слой

Cтраница 3

Разные толщины поглощающего слоя нужны для выбора при данной длине волны так называемых нормальных почернений. [31]

Увеличение толщины поглощающего слоя при определении кальция приводит к эффективному увеличению чувствительности. [32]

Определим толщину поглощающего слоя pfe ( в г / см2), необходимую для получения заданной чувствительности и соответствующую этой толщине кратности ослабления излучения. [33]

Для увеличения поглощающего слоя атомов и повышения чувствительности метода применяют адаптер пламени и кислородно-водородное пламя. В работе японских исследователей i [40] успешно применен адаптер диаметром 0 9 см, длиной 40 см для воздушно-водородного пламени. [34]

Увеличение толщины поглощающего слоя полистирола и его производных значительно снижает прозрачность в тех участках ИК-спектра, где поглощение в тонких слоях ( около 20 мкм) сравнительно слабое. При толщинах полимерных пленок порядка сотни микрометров в спектрах практически остается прозрачной только часть ближней ИК-области. Однако наличие в ударопрочных поли-стиролах нерастворимой части вызывает рассеяние света, так что они оказываются непрозрачными также в ближней ИК и видимой областях спектра уже при толщинах пленок 20 - 50 мкм. [35]

Если толщина поглощающего слоя сравниваемых растворов одинакова, то равенство оптических плотностей говорит о равенстве концентраций поглощающего вещества в этих растворах. На этой зависимости основано измерение методом стандартных серий. [36]

Теплообмен в поглощающем слое, Изв. [37]

К выводу закона Бугера - Ламберта. [38]

Мысленно разделим весь поглощающий слой на b участков и будем наблюдать изменение интенсивности светового потока, проходящего че - 0123 рез раствор. [39]

Рассматривая пламя как поглощающий слой, содержащий свободные атомы определяемых элементов, или же как источник света, можно в первом приближении использовать относительно простую модель термически квазиравновесной низкотемпературной плазмы. [40]

Генерация и рекомбинация носителей заряда в слое полупроводника. [41]

Рассмотрим изолированный тонкий поглощающий слой полупроводника, изображенный на рис. 1.1, при однородном освещении монохроматическим излучением. [42]

При постоянной толщине поглощающего слоя градуировочный график, построенный в координатах А - с, представляет собой прямую, проходящую через нулевую точку. Для атомизации вещества в атомно-абсорбцион-ной спектрофотометрии используют пламена различных типов и электротермические атомизаторы. Последние основаны на получении поглощающего слоя свободных атомов элемента путем импульсного термического испарения вещества: кювета Львова, графитовый трубчатый атомизатор, лазерный испаритель и др. Пламенная атомизация вещества получила большое распространение в аналитической практике, так как она обеспечивает достаточно низкие пределы обнаружения элементов ( 10 - 6 - Ю-70 / о) и хорошую воспроизводимость результатов анализа ( 1 - 2 %) при достаточно высокой скорости определений и небольшой трудоемкости. [43]

Кювета для жидких проб ( Barnes Engineering Company, Stamford, Connecticut. [44]

Для установления толщины поглощающего слоя кюветы существуют два метода. [45]

Страницы: 1 2 3 4