Сильнолегированный слой
Cтраница 1
Сильнолегированный слой с малым удельным сопротивлением иногда называют эмиттером по отношению к высо-коомной пластинке полупроводника - базе. [1]
Сильнолегированный слой полупроводника ( например, р-типа), имеющий сравнительно более высокую концентрацию основных носителей ( р), служит эмиттером диода. Слаболегированный слой полупроводника ( n - типа), имеющий большее удельное сопротивление, является базой диода. [2]
 |
Структура сплавного германиевого транзистора с сильнолегированным слоем в активной и. [3] |
При желании создать сильнолегированный слой всюду, включая и область базы под эмиттером, и сочетать свойства структуры, показанной на рис. 5 - 2, и рассматриваемой здесь структуры, надо легирование пассивной области проводить предварительно с помощью диффузии из газовой фазы, а легирование базы под эмиттером осуществлять с помощью диффузии из электродного материала во время вплавления. Следует подбирать технологические режимы, размеры электродов и толщины диффузионных областей таким образом, чтобы при вплавлении слой, полученный диффузией из газовой фазы, полностью растворялся эмиттерным электродом. [4]
 |
Пленочный конденсатор в интегральном исполнении. [5] |
Нижней обкладкой конденсатора является сильнолегированный слой полупроводниковой подложки, диэлектриком служит слой SiC2 толщиной до 1 мкм, а верхней обкладкой является напыленная пленка алюминия. Такой конденсатор имеет емкость до 500 пФ / мм2, она стабильна и не зависит от полярности напряжения; пробивное напряжение до 50 В. [6]
 |
Структура сплавного германиевого транзистора с сильнолегированным слоем в активной и. [7] |
Если по каким-либо причинам нельзя создавать в базовой области сильнолегированный слой ( например, если необходимо сохранить высокое пробивное напряжение эмиттер - база), то для уменьшения влияния базового сопротивления на выходные характеристики мощного транзистора в области малых напряжений необходимо обеспечить такую конфигурацию транзисторной структуры, при которой коллекторная область не будет находиться под базовыми контактами и пассивной базовой областью. [8]
При дальнейшем увеличении длины волны в области 5, указанной на рис. 4, излучение снова проникает в сильнолегированный слой и, кроме того, еще сильно поглощается в этом слое. Наконец, в длинноволновой области 4 сильнолегированный слой действует как металл с высокой отражающей способностью. [9]
 |
Структура диода с выпрямлением на контакте металл - полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма ( б. [10] |
Важным преимуществом диодов с выпрямлением на контакте металл - полупроводник по сравнению с диодами на р - п - переход ах является также незначительность последовательных электрических и тепловых сопротивлений, так как металлический слой по этим свойствам превосходит любой сильнолегированный слой полупроводника. [11]
При дальнейшем увеличении длины волны в области 5, указанной на рис. 4, излучение снова проникает в сильнолегированный слой и, кроме того, еще сильно поглощается в этом слое. Наконец, в длинноволновой области 4 сильнолегированный слой действует как металл с высокой отражающей способностью. [12]
 |
Ход лучей параллельного пучка ИК излучения, падающего под углом ф к входной грани модулятора. [13] |
Параллельный пучок лучей падает под углом р к входной грани модулятора ( рис. 3), Вследствие высокого показателя преломления германия ( и 4) лучи в теле модулятора идут под малым углом а к поверхности контактов. При этом в зависимости от длины волны лучи могут отражаться от сильнолегированного слоя или проходить через него и отражаться от слоя металла. [14]
Перед травлением защищается и коллекторная сторона пластины. После травления в пластины проводится диффузия бора, который позволяет создать в тех местах, откуда удален слой n - типа, сильнолегированный слой / 7-типа толщиной несколько микрон. В сильнолегированных областях я-типа в результате диффузии бора никакой компенсации не произойдет и их электрические свойства не изменятся, так как концентрация вводимого бора примерно в 10 раз меньше концентрации продиф-фундировавшего в кремний фосфора. После диффузии бора, которая, как и диффузия фосфора, может проводиться или из газовой фазы или из наносимого на поверхность кремния соединения, поверхность кремния очищается от следов диффузантов и пластины помещаются в печь для проведения второй стадии диффузии. Источником примесей, фосфора и бора во время второй, окончательной стадии диффузии служат созданные предварительно сильнолегированные слои. Расстояние между эмиттерным и коллекторным переходами после окончательной диффузии становится равным 15 - 20 мк. [15]
Страницы: 1 2