Кристаллический диод

Cтраница 2

Быстродействие кристаллических диодов определяется в основном временем жизни избыточных носителей заряда, накопленных в базе диода при протекании прямого тока, которое может варьироваться в очень широких пределах. При введении в полупроводник небольшого количества примесей с глубокими уровнями ( золото, никель и др.) время жизни может быть доведено до 10 - 10 с и меньше. [16]

У кристаллических диодов все процессы происходят в слое толщиной около 0 0001 мм. Входная емкость кристаллического диода около 0 1 пикофарады, а шумят кристаллические диоды тем меньше, чем выше частота. [17]

Вольтамперная характеристика. [18]

Основным недостатком кристаллических диодов является их резко выраженная зависимость прямого и обратного сопротивления от температуры. Увеличение температуры вызывает повышение прямого и понижение обратного сопротивления диода, что влечет ухудшение его выпрямляющих качеств. Поэтому кристаллические диоды нормально могут работать в относительно небольшом интервале изменения температуры. [19]

Временной селектор-дешифратор двойных импульсов. [20]

Эти качества кристаллических диодов позволяют применять более низкие напряжения, чем в случае амплитудных селекторов на обычных диодах. [21]

Эквивалентная схема кристаллического диода изображена на рис. 10.22. Здесь g и Сд - проводимость и емкость точечного контакта, rs - объемное сопротивление кристалла кремния, Ln и См - индуктивность и емкость монтажа диода в патроне. Нелинейными характеристиками, создающими эффект преобразования частоты, обладают только проводимость g и в меньшей степени емкость Сл. Поэтому, чем меньше величины r &, Ln и Сд, тем большая часть входного напряжения подводится к проводимости g и тем больше коэффициент передачи напряжения преобразователя. [22]

Данные некоторых газовых лазеров.| Технические данные некоторых твердотельных лазеров. [23]

Полупроводниковый лазер представляет собой кристаллический диод, которому придана форма оптического резонатора Фабри-Перо. Впервые полупроводниковые лазеры были созданы на р-п переходе в арсениде галлия. На рис. 11.7 показана конструкция такого лазера. Кристалл арсенида галлия 6 с р-п переходом помещается между двумя металлическими дисками / и 2, изготовленными из молибдена или меди и служащими для отвода тепла и одновременно для подведения к кристаллу электрического тока от источника накачки. Между дисками устанавливается изолирующая прокладка 3 из арсенида галлия. Торцы кристалла отполированы и представляют собой поверхности резонатора Фабри-Перо. Недостатками лазера являются высокая пороговая плотность тока и низкий КПД при комнатной температуре. [24]

Развитие техники производства кристаллических диодов привело к освоению и выпуску силовых диодов на токи до нескольких килоампер, что позволяет заменять ими электронные кенотроны, селеновые или даже газоразрядные вентили ( выпрямители) для выпрямления токов. [25]

Несмотря на появление кристаллических диодов, в настоящее время продолжается широкое использование селеновых и купроксных диодов в качестве вентилей. [26]

Возможно использование деформации кристаллических диодов. [27]

Усилитель собран на кристаллических диодах и триодах и рассчитан на длительную работу в условиях повышенной влажности и при высоких температурах. [28]

Распределение зарядов, а - двухэлектродная лахпа. б - кристаллический диод. [29]

Направления, в которых кристаллический диод и двухэлектродная лампа хорошо и плохо проводят электрический ток, совпадают. Замкнем цепь, присоединив к катоду и аноду диода батарею. Если к аноду подключен плюс батареи, то подвижные электроны переходят в р-полупроводник и поддерживают протекание электрического тока. При подключении плюса батареи к катоду подвижные электроны отсасываются от р-полупроводника, и он испытывает недостаток в подвижных зарядах. На рис. 9 - 16 показана вольт-амперная характеристика диода из германиевого полупроводника. Следует отметить, что p - n - переход имеет большую емкость. Это обусловлено большой поверхностью р-я-границы. Через емкость p - n - перехода замыкаются токи высокой частоты. Поэтому в высокочастотных устройствах плоскостные кристаллические диоды с p - n - переходом заменяют точечными диодами. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5