Случай - источник
Cтраница 3
Расчет [68-70] в случае источника света конечных размеров аналогичен расчету в случае центрального точечного источника света, приведенному в предыдущем разделе, однако разность оптических путей § для точки в окрестности оси клина С является функцией координат источников света. [31]
 |
Линейный коэффициент ослабления у-нзлучения ц, см-1, для некоторых материалов. [32] |
Однако даже в случае точечного изотропного моноэнергетического источника эта задача является нелегкой, так как, если в выражение (5.4) ввести фактор накопления, оно становится трансцендентным. Поэтому пользуются таблицами или номограммами, которые дают возможность быстро и с хорошей точностью решать вопросы защиты. Исходными данными при использовании таблиц являются энергия излучения и требуемая кратность ослабления к излучению выбранным защитным материалом. Кратность ослабления показывает, во сколько раз защита заданной толщины снижает уровень излучения. [33]
Полученные результаты относятся к случаю источника света бесконечно малых размеров. Однако они справедливы и для источников весьма малых конечных размеров. Вопрос же о яркости и контрастности интерференционной картины существенно связан с размерами источника света. [34]
Сложнее дело обстоит в случае источников, для которых в неподвижной среде имело место условие Неймана. [35]
Естественно, что в случае источников с низкой эманирующей способностью, у которых значения А и А0 почти одинаковы, этот метод не очень точен. Этот метод не применим также в случае источников, у которых материнский элемент инертного газа является 3 - или - - активным ( например, мезоториевый источник), если не внести соответствующую поправку на активность этого материнского элемента. [36]
Напряжение подключаемого в этом случае источника тока должно соответствовать своему аналогу - температуре среды, теплообмен с которой задается для данной зоны в виде граничных условий третьего рода. [37]
Таким образом, в случае пространственного источника скорость убывает при удалении от центра обратно пропорционально квадрату расстояния до центра. [38]
Как и ранее, в случае неразрешенного источника, взаимная интенсивность на поверхности В представлена двумя сомножителями, каждый из которых зависит от положения одной точки на В. [39]
Заметим далее, что в случае источника независимых сообщений случайные величины z - 1 1 - H, sl, /, независимы, так как соответствующие им функции не имеют общих аргументов. [40]
Следует отметить, что в случае графитового источника углерода из-за наличия баро - и термоградиентов в реакционном объеме реальное пересыщение углерода по отношению к алмазу имеет две составляющие. Если же направление температурного перепада обратное, то реальное пересыщение будет меньше термодинамического ( при р - 7-условиях зоны роста) на величину концентрационного пересыщения ( см. рис. 134, обл. Ясно, что при этом с увеличением значения, обратного температурному перепаду, до определенного предела ( см. рис. 134, TI T3) величина концентрационного пересыщения стремится к термодинамическому, а реальное пересыщение в зоне роста - к нулю. [41]
 |
Схема усилителя низкой частоты. [42] |
Величина сопротивления R ( даже в случае источников с низким выходным сопротивлением) должна быть взята не менее 0 5 - 1 Мом, так как в противном случае это повлечет за собой слишком большую величину емкости переходного конденсатора С. Более значительное увеличение R может привести к осложнениям в работе схемы, вызывая смещение рабочей точки лампы за счет токов в цепи сетки, что особенно важно у ламп с большой крутизной. [43]
Заметим, что q отрицательно в случае источника, так как мы предположили, что оно положительно для стока. [44]
 |
График локализационной кривой для источника в неограниченном пространстве - 1. Кривые 2 и 3 соответствуют асимптотикам на малых и больших расстояниях от источника. [45] |
Страницы: 1 2 3 4