Cтраница 1
Случай дырочного полупроводника, в котором р J n, нет необходимости рассматривать столь же подробно. [1]
В случае дырочного полупроводника, если акцепторные уровни еще не насыщены электронами, при относительно низких температурах преобладает примесная проводимость. Однако при достижении некоторой температуры Т 0 акцепторные уровни уже не могут отбирать электроны, и собственная проводимость становится преобладающей. [2]
В случае дырочного полупроводника электроны валентной зоны при самых малых тепловых энергиях ( ЕА Et) переходят на примесный уровень, образуемый трехвалентными атомами, заполняя недостающую связь. При этом число дырок в валентной зоне, получающееся за счет ухода электронов на примесный уровень, будет резко превышать число электронов свободной зоны. Атомы трехвалентной примеси приобретают отрицательный заряд за счет пришедшего четвертого электрона, оставаясь неподвижными в решетке кристалла. [3]
На рис. XII.16 изображен случай дырочного полупроводника. Поскольку дырки отклоняются в сторону левой грани, то левая грань заряжается положительно, а правая - отрицательно. [4]
Аналогичная картина наблюдается и в случае дырочного полупроводника. [5]
О - Так же понятно, что первый случай ведет в случае дырочного полупроводника к образованию антизапорного, второй - запорного слоя. [6]
Хемосорбция на металлах и полупроводниках сопровождается электронным обменом между адсорбированной молекулой и катализатором, например в случае дырочного полупроводника р-типа ( NiO) адсорбция кислорода сопровождается увеличением числа дырок. [7]
Допущение Ed const приводит к тому, что зависимость ц ( Т), если ее рассматривать в достаточно широком интервале температур, имеет вид кривой с максимумом для кристалла электронного типа проводимости ( рис. 2.13) или с минимумом в случае дырочного полупроводника. Со стороны низких температур, оказывается, существует температура вырождения Тг, при которой происходит вымерзание носителей заряда. Со стороны высоких температур также су - / ществует вторая температура вырождения Т2, при которой уже больший вклад вносят электроны, переходящие в зону проводимости из валентной. [8]
Пусть имеется электронный полупроводник, у которого л0 РО, n /, pi, тогда из ( 1 - 606) получается т0 я тро. В случае дырочного полупроводника получается т я тло. [9]
Положение уровня Ферми в примесном полупроводнике может быть рассчитано на основании условия электрической нейтральности. В случае дырочного полупроводника это означает, что количество дырок должно равняться количеству электронов в зоне проводимости плюс количество электронов, захваченных акцепторами. Количество электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне определяется в соответствии с распределением Ферми. Несколько сложнее обстоит дело с определением количества электронов, находящихся на примесных уровнях. [10]
Адсорбция кислорода на металлах и полупроводниках сопровождается электронным обменом между адсорбированной молекулой О и катализаторам. Например, адсорбция кислорода в случае дырочного полупроводника р-типа ( NiO) сопровождается увеличением числа дырок в катализаторе, а в случае электронного полупроводника ( ZnO) увеличением числа электронов в решетке. [11]
Само собой разумеется, что в случае дырочного полупроводника имеют место аналогичные процессы. [12]
Поэтому независимо от знака носителей заряда на них действуют силы в одну сторону. В случае, показанном на рисунке к вопросу, заряды смещаются вниз. В металле и электронном полупроводнике, в которых ток переносится электронами, это приведет к обеднению носителями зарядов области около точки а и эта область приобретет положительный потенциал. В случае дырочного полупроводника знак заряда, очевидно, отрицателен. [13]