Мощный выпрямительный диод

Cтраница 2

Конструкция одного из кремниевых плоскостных диодов. / - наружный вывод, 2 - трубка, 3 - внутренний вывод, 4 - проходной изолятор, 5 корпус б - защитное покрытие, 7 - верхний электрод на кристалле полупроводника, в - кристалл кремния с р-п-переходом, 9 - базовая область диодной структуры, 10 - слой припоя, / / - кристаллодержатель, 12 - ножка корпуса, 13 - слюдяная изолирующая шайба, 14 - изоляционная втулка, 15 - тока-отводящий лепесток, 16 - крепежные гайки. [16]

Для защиты от внешних воздействий и обеспечения хорошего теплоотвода кристалл с / У-м-переходом монтируют в корпусе. Пример конструктивного оформления выпрямительного диода показан на рис 3.39 Кристалл кремния с р-п-переходом припаивают к медному основанию ( к ножке корпуса) таким образом, чтобы получить омический переход между металлом и полупроводником. Для этого используют припой с примесью донора, если кристалл припаивают к основанию и-обла-стью, и с примесью акцептора, если / э-областью. Наличие в припое химического элемента, создающего в запрещенной зоне кремния уровни рекомбинационных ловушек ( золото), обеспечивает уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда вблизи омического перехода и ускорение процесса рассасывания накопленных неосновных носителей. В мощных выпрямительных диодах с большой площадью кристалла между медным основанием и кристаллом кремния помещают термо-компенсирующую прокладку из вольфрама или ковара, имеющую примерно тот же коэффициент линейного расширения, что и кремний. Таким образом устраняют или существенно уменьшают механические напряжения в кристалле кремния, возникающие при изменении температуры. [17]

Конструкция одного из кремниевых плоскостных диодов. [18]

Для защиты от внешних воздействий и обеспечения хорошего теплоотвода кристалл с р - - переходом монтируют в корпусе. Пример конструктивного оформления выпрямительного диода показан на рис. 3.39. Кристалл кремния с р-я-переходом припаивают к медному основанию ( к ножке корпуса) таким образом, чтобы получить омический переход между металлом и полупроводником. Для этого используют припой с примесью донора, если кристалл припаивают к основанию п-обла-стью, и с примесью акцептора, если / - областью. Наличие в припое химического элемента, создающего в запрещенной зоне кремния уровни рекомбинационных ловушек ( золото), обеспечивает уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда вблизи омического перехода и ускорение процесса рассасывания накопленных неосновных носителей. В мощных выпрямительных диодах с большой площадью кристалла между медным основанием и кристаллом кремния помещают термо-компенсирующую прокладку из вольфрама или ковара, имеющую примерно тот же коэффициент линейного расширения, что и кремний. Таким образом устраняют или существенно уменьшают механические напряжения в кристалле кремния, возникающие при изменении температуры. [19]

Страницы: 1 2