Cтраница 5
Совершенство структуры эпитаксиальной пленки существенно зависит от состояния поверхности кремниевой подложки. Непосредственно перед эпитаксиальным наращиванием целесообразно произвести обработку поверхности подложек водородом при t - 1200 С с целью восстановления следов окисла, а затем газовое травление на глубину 2 - 3 мкм в смеси хлористого водорода ( 1 - 2 %) в водороде для удаления следов нарушенной структуры. [61]