Плоскостной кремниевый диод

Cтраница 1

Плоскостные кремниевые диоды имеют идеальные характеристики выпрямления при весьма высокой температуре ( до 165 С); они могут дать ток 1 5 а без внешнего охлаждения, имеют очень небольшой обратный ток, даже при очень высокой температуре, и незначительное снижение напряжения при полной нагрузке; приборы полностью герметизированы. [1]

Плоскостные кремниевые диоды, предназначенные для стабилизации постоянного напряжения или для получения опорного ( образцового неизменного) напряжения, называются кремниевыми стабилитронами, опорными диодами. Они представляют собой разновидность кремниевых диодов с повышенной концентрацией носителей зарядов в полупроводниках. [2]

Плоскостные кремниевые диоды типа Д202 - Д211 применяются для выпрямления переменного тока в источниках питания радиоаппаратуры. [3]

Некоторые плоскостные кремниевые диоды с р - п-переходом обладают обратными характеристиками, сравнимыми с характеристиками электронных ламп. Их обратный ток меньше, чем у германиевых диодов, благодаря чему их обратное сопротивление изменяется с температурой значительно меньше, чем у германиевых диодов. [4]

У плоскостного кремниевого диода в пластину из кремния с проводимостью п вплавлен элемент III группы, например алюминий. Пограничный слой кремния, куда проникают атомы алюминия, приобретает дырочную проводимость. [5]

В плоскостных кремниевых диодах в пластинку из кремния с электронной проводимостью вместо индия вплавляют алюминиевый столбик, который создает область с дырочной проводимостью. [6]

Промышленность выпускает плоскостные кремниевые диоды типов Д205 - Д211 для выпрямителей средней мощности и типов ВК-Ю и ВК-50 для выпрямителей большой мощности. [7]

Основными недостатками плоскостных кремниевых диодов являются шумы в области лавинного пробоя и отсутствие насыщения обратной ветви вольтамперной характеристики, что показано на фиг. Шумы широко изменяются от прибора к прибору и, по-видимому, не являются обязательным свойством кремниевых переходов, так как у некоторых образцов приборов шумы отсутствуют Шумы почти всегда ограничены областью малых токов на характеристике лавинного пробоя, иногда связаны с определенным напряжением, имеют обычно белым спектр и в некоторых случаях зависят от температуры. Имеются предположения, что в некоторых приборах шумы обусловлены механическими повреждениями ( трещинами) в области р-п переходов. [8]

В другом полупроводниковом модуляторе используются плоскостные кремниевые диоды, емкость которых зависит от напряжения. Этот модулятор, представляющий собой, по существу, параметрический усилитель, может давать усиление по мощности. Используя его, можно получить весьма малый дрейф по напряжению в узких температурных диапа - зонах. Принцип работы модулятора иллюстрируется на фиг. [9]

Установлено, что в случае плоскостного кремниевого диода эта формула вполне точна только для прямого тока, но что обратные токи не насыщаются. Поэтому было сделано предположение [149], что вследствие малого времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии обратный ток из-за генерирования носителей ловушками в области пространственного заряда больше тока насыщения неосновных носителей, диффундирующих в эту область. Обратный ток ловушек пропорционален ширине области пространственного заряда. [10]

Полупроводниковый диод. [11]

На рис. 9.3, а показана конструкция плоскостного кремниевого диода средней мощности. [12]

Как отмечалось в § 1.12, отличительной особенностью плоскостного кремниевого диода является резкое изменение обратного тока при малых изменениях обратного напряжения в области сильных полей. Эту особенность кремниевых диодов используют при создании стабилизаторов напряжения - стабилитронов. [13]

Как уже отмечалось в § 4.3, отличительной особенностью плоскостного кремниевого диода является резкое изменение обратного тока при малых изменениях обратного напряжения в области сильных полей. Эту особенность кремниевых переходов используют для создания стабилизаторов напряжения - стабилитронов. [14]

Для ослабления влияния перегрузок пепь R / - ИП1 зашунтирована шестью плоскостными кремниевыми диодами Дзо - Д - в прямом включении. При нормальной работе прямое напряжение на каждом диоде незначительно ( максимальная величина его составляет U изм. При этом напряжение на каждом диоде не превышает 0 7 в, п общее напряжение на цепи RO - ИП1 не превышает 4 2 в, то есть микроамперметр перегружен менее чем в 3 раза, что практически уже не представляет опасности. [15]

Страницы: 1 2