Германиевый плоскостной диод

Cтраница 3

V-граница создается на значительной поверхности путем диффузии подходящей примеси в основной материал. Так, для германиевых плоскостных диодов часто используют диффузию из расплавленного индия в N - германий. Плоскостные диоды, естественно, позволяют выпрямлять значительно большие мощности, чем точечные. Они обладают также большой устойчивостью характеристик и дают возможность, например в случае германиевых диодов, иметь при обратных напряжениях 600 в, ток 1 ма, а в пропускном направлении - ток 5 а при напряжении в 1 в. При этом плотность тока в таких выпрямителях значительно выше, чем у селеновых и меднозакисных. Частотный диапазон плоскостных диодов практически ограничен емкостью системы и значительно ниже, чем для точечных. [31]

При осуществлении температурной компенсации предпочтение следует отдать кремниевым стабилитронам, включенным в прямом направлении, так как тепловая инерция германиевых плоскостных диодов больше, чем у кремниевых стабилитронов. При этом следует иметь в виду, что элементы скомпенсированной батареи должны находиться в одинаковых температурных условиях. Температурный коэффициент скомпенсированной батареи примерно равен алгебраической сумме температурных коэффициентов, составляющих батарею. [32]

При осуществлении температурной компенсации предпочтение следует отдать кремниевым стабилитронам, включенным в прямом направлении, так как тепловая инерция германиевых плоскостных диодов больше, чем у кремниевых стабилитронов. При этом следует иметь в виду, что элементы скомпенсированной батареи должны находиться, в одинаковых температурных условиях. Температурный коэффициент скомпенсированной батареи примерно равен алгебраической сумме температурных коэффициентов, составляющих батарею. [33]

Измерение амплитуды импульсов с помощью прибора Ц-20.| Измерение прямого ( а и обратного ( б сопротивлений диодов. [34]

У кремниевых точечных и плоскостных диодов обратное сопротивление столь велико, что измерить его тестером: не удается. Обратное сопротивление германиевых плоскостных диодов колеблется в пределах от 100 кОм до 2 МОм. Во избежание прогрева при измерениях не следует держать диод за корпус. [35]

Кроме точечных германиевых и кремниевых детекторов, в настоящее время изготовляются и плоскостные выпрямители. В этом случае р-п-граница создается на значительной поверхности путем диффузии подходящей примеси в основной материал. Так, для германиевых плоскостных диодов часто используют диффузию из вплавленного индия в n - Ge. Плоскостные диоды, естественно, позволяют выпрямлять значительно большие мощности, чем точечные. Они облагают также большой устойчивостью характеристик и дают возможность, например в случае германиевых диодов, работать при обратных напряжениях до 600 в с током 1 ма и в пропускном направлении при токе до 5 а при напряжении 1 в. При этом плотность тока в таких выпрямителях значительно выше, чем у селеновых и меднозакисных. Частотный диапазон плоскостных диодов практически ограничен емкостью системы и значительно ниже, чем для точечных. [36]

Германиевые вентили позволили значительно сократить габариты современных магнитных усилителей, о их недостатком оказалась зависимость обратного тока от температуры. В области температур порядка 50 - 80 С характеристика германиевого плоскостного диода в обратном направлении настолько ухудшается, что он начинает уступать по качествам селеновому вентилю. Поэтому селеновые вентили, работающие удовлетворительно и при высоких температурах, продолжали совершенствовать и после того, как появился германиевый плоскостной диод. [37]

Кенотронный выпрямитель электронных приборов. [38]

Для питания различных цепей электронных приборов контроля и автоматизации все чаще, кроме кенотронных выпрямителей, применяют выпрямители па полупроводниках. В приборах, разработанных в последнее время, эти выпрямители имеют заметное преобладание. В большинстве случаев используются селеновые выпрямительные элементы, столбики и германиевые плоскостные диоды. [39]

Устройство полупроводниковых диодов различных типов.| Типичный вид вольт-амперной характеристики полупроводниковых диодов ( а и обратной ветви стабилитрона ( б. [40]

Ввиду сильного различия рабочих напряжений и токов при прямом и обратном смещениях обычно применяют разные масштабы для прямой и обратной ветвей. Чем круче и ближе к вертикальной оси поднимается прямая ветвь и чем ближе к горизонтальной оси и на большем ее протяжении прилегает к ней обратная ветвь, тем лучше диод. Требованиям, предъявляемым к прямой ветви, лучше всего удовлетворяют германиевые плоскостные диоды, а обратная ветвь лучше у кремниевых диодов. При достаточно большом обратном напряжении у любого диода наблюдается резкое увеличение обратного тока, обычно называемое пробоем. [41]

Некоторые плоскостные кремниевые диоды с р - п-переходом обладают обратными характеристиками, сравнимыми с характеристиками электронных ламп. Их обратный ток меньше, чем у германиевых диодов, благодаря чему их обратное сопротивление изменяется с температурой значительно меньше, чем у германиевых диодов. Весьма вероятно, что германиевые плоскостные диоды типа р - л с малой площадью перехода найдут широкое и многообразное применение в измерительном приборостроении. [42]

Страницы: 1 2 3