Cтраница 2
![]() |
Схема смещения атомов при перемещении краевой дислокации на одни параметр решетки. [16] |
При смещении атомов из узлов их энергия возрастает. [17]
При смещении атомов твердого тела из положений устойчивого равновесия возникают силы, стремящиеся вернуть атомы в положения равновесия, и тело начинает совершать колебания. Опыт показывает, что при обычных температурах амплитуды колебаний настолько малы, что всегда можно ограничиться адиабатическим приближением, причем задачу о колебаниях можно решать классически. [18]
Например, смещение атома водорода возможно под действием бета-излучения с энергией 11 кэв, тогда как для атома алюминия требуется энергия 300 кэв. Для смещения атомов с атомными номерами выше 40 бета-излучение должно обладать энергией большей, чем 1 Мэв. Он обладает энергией, которая, будучи передана соседним атомам, либо вызывает их ионизацию, либо увеличивает колебательную энергию решетки. Во втором случае энергия накапливается в достаточно малых участках, отчего происходит локальное повышение температуры; это в свою очередь вызывает постоянные перегруппировки атомов в веществе. Данный эффект носит название температурного пика. Обычно различают два случая. [19]
Проанализируем внимательнее гармонические смещения атомов и выясним, когда допустимо считать их малыми. Безусловно, необходимым условием справедливости гармонического приближения является требование, чтобы амплитуда нулевых колебаний это - - мов в кристалле была малой по сравнению с периодом решетки. [20]
Из расчета смещений атомов [27] следует, что отличительной особенностью этого колебания являются значительные осцилляции длин связей Сар-Сал и прилежащих к ней связей С-С углеродного кольца, которые в несколько раз превосходят изменения размеров других валентных связей. Для примера рассмотрим трехатомную молекулу, отвечающую трем группам: R-C-CsHs, которые перемещаются друг относительно друга. В этом случае изменения величины такого колебания при замене радикалов и при агрегатных превращениях могут быть объяснены либо изменениями массы колеблющихся частей молекулы, либо изменениями их структуры. [21]
Плотность вероятности смещения атома из узла кристаллической решетки сильно зависит от температуры, поскольку ( ( ы2)) - функция температуры. Наиболее примечательным в этой зависимости является то, что атом имеет заметную вероятность отклониться от положения равновесия даже при Т - О / С в меру нулевых колебаний. Таким образом, хотя сама энергия нулевых колебаний может не проявляться, связанное с ней нулевое движение в принципе доступно наблюдению. [22]
Для определения смещений атомов в рамках атомной модели кристалла может быть применен также метод, основанный на использовании введенной Лифшицем [66] тензорной функции Грина для кристаллической решетки. Таким методом в [67] была рассмотрена задача о смещениях атомов в кристалле, содержащем примеси. [23]
В характере смещения атомов этого сплава вблизи точки структурных превращений, в разнообразии этих превращений заложены возможности произвольного формоизменения в сложнонапряженных условиях ц эффективной релаксации напряжений. Кроме того, способность нпкслида упрочняться за счет образования при высоких степенях деформации высокодисперсной диссипативной структуры [20, 21] должна существенно повысить пластические свойства композиционного материала. [24]
Высокие скорости смещения атомов ( рис. 50) ( 10 - 2 - 10 - 3 с / а с) при ионном облучении позволяют набрать большую дозу за относительно короткое время. [25]
Увеличение скорости смещения атомов приводит к повышению вакансионного пересыщения. Чтобы обеспечить вакансионное пе-пересыщение, характерное для реакторного облучения, в экспериментах по ионному и электронному облучению необходимо задаться температурным сдвигом, что затрудняет сравнение результатов реакторного, ионного и электронного облучения. [27]
Увеличение скорости смещения атомов не приводит к соответствующему ускорению отжига точечных дефектов, что является принципиальной причиной невоспроизводимости результатов реакторных и имитационных экспериментов. Кроме того, из экспериментальных данных следует, что тип и энергия бомбардирующих частиц через структуру первичных радиационных повреждений влияют на развитие радиационной пористости. Из графиков, представленных на рис. 66, и данных, приведенных в табл. 16, видно, что как по величине распухания, так и по зависимости распухания от дозы существует большой разброс. [28]
На возможность смещения атомов по каким-либо кристаллическим плоскостям значительное влияние оказывает температура. Повышение температуры, а следовательно, и амплитуды тепловых колебаний атомов в ряде случаев приводит к тому, что процесс скольжения может происходить по другим плоскостям, отличным от тех, по которым происходит скольжение при комнатной температуре. [29]
Другим видом смещений атомов, не меняющим однородности волны, изображенной на рис. 11.3, является изменение амплитуды этой волны. Такое колебание называют амплитудоном. Очевидно, что изменение амплитуды замороженной волны всегда связано с изменением потенциальной энергии, так что частота однородного ам-плитудона вполне конечна. Более того, амплитудон аналогичен мягкой моде для обычных фазовых переходов, поскольку именно амплитуда замороженной волны характеризует значение параметра порядка. [30]