Cтраница 1
Бескорпусные диоды, транзисторы и микросхемы представляют собой прямоугольные части кремниевых пластин, именуемые кристаллами, в которых сформированы соответствующие структуры. Они могут присоединяться к коммутационной плате с помощью гибких, балочных и жестких ( шариковых или столбиковых) выводов. [1]
Бескорпусные диоды и диодные матрицы ( например, КД902Г), транзисторы типа 2Т317 и микросхемы серии К740 ( операционные усилители) с гибкими выводами крепятся к подложке с помощью термостойких эпоксидных клеев и присоединяются к контактным площадкам термокомпрессионной, ультразвуковой или контактной сваркой сдвоенным электродом. [2]
Частотные зависимости параметров кольцевого делителя на сосредоточенных П - звеньях ( - - - - - - - - и. [3] |
В микрополосковую линию бескорпусные диоды обычно включают параллельно. [4]
Распределение примесей в p - i - n структуре.| Эквивалентные схемы p - i - n структуры. [5] |
Она соответствует также бескорпусным диодам с p - i - n структурой. [6]
Переключатели с последовательным включением бескорпусных диодов в линию передачи на практике являются наиболее широкополосными. [7]
СВЧ-лиод с переходом Шоттки на арсениде галлия. [8] |
Для интегральных микросхем обычно используют бескорпусные диоды Шоттки. В этом случае создают балочные выводы. [9]
Статистические данные о климатической и механической стойкости бескорпусных диодов очень ограниченны. Случаи многолетней круглогодичной эксплуатации бескорпусных диодов в аппаратуре, расположенной на антеннах радиотелескопов и подвергающейся значительным перепадам температуры и влажности, не являются редкими. В то же время прижимной контакт не может выдерживать удары и высокочастотные вибрации. Большое влияние на прочность прижимного контакта оказывают материал, толщина, качество заточки и отделки поверхности контактной иглы. Ответственной операцией является контактирование диода; при неудачной операции, когда игла скользит по поверхности защитной пленки из двуокиси кремния, прежде чем попадает в окно одного из диодов, острие часто деформируется, что приводит к повышению емкости и непрочности диодов. Для облегчения контактирования отдельные диоды на поверхности сотовой структуры должны располагаться достаточно близко друг к другу. В бескорпусных смесителях криогенных приемников необходимо подбирать конструкционные материалы таким образом, чтобы температурные изменения размеров отдельных деталей не меняли расстояние между держателем иглы и диодом. [10]
Эквивалентная шумовая температура, измеряемая со входа различных каскадов супергетеродинных приемников, работающих при комнатной тем - пературе ( а и в криоблоке при 20 К ( б. [11] |
СММ диапазоне применяют квазиоптические конструкции смесителей на бескорпусных диодах, среди которых наиболее распро-странена и исследована конструкция на основе уголкового отражателя. [12]
В гибридных ИС используют бескорпусные активные ком-1 поненты ( бескорпусные диоды и транзисторы) в сочетании. [13]
Схемы диодного включения интегрального транзистора с диэлектрической изоляцией. [14] |
В зависимости от конструкции и технологии изготовления интегральной схемы различают бескорпусные диоды и диодные сборки, применяемые в гибридных интегральных схемах, и диоды, используемые в полупроводниковых интегральных схемах. [15]