Смещение - база
Cтраница 1
 |
Схема ждущего бло - -, . [1] |
Смещение базы должно обеспечить также помехозащищенность ждущего блокинг-генератора. [2]
 |
Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [3] |
Ток смещения базы, текущий через Ri, практически определяется величиной Д и напряжением источника питания и не меняется при изменении температуры транзистора, его старении и замене. Поэтому описанный способ называют смещением фиксированным током базы. [4]
 |
Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [5] |
Ток смещения базы, текущий через R, практически определяется величиной R и напряжением источника питания и не меняется при изменении температуры транзистора, его старении и замене. Поэтому описанный способ называют смещением фиксированным током базы. [6]
Ток смещения базы транзистора Тг почти не зависит от температуры, так как он поступает через большое сопротивление от источника сравнительно высокого напряжения. Всякое повышение окружающей температуры вызывает повышение коллекторного тока транзистора Tlt что обусловлено изменением коэффициента передачи по постоянному току. [7]
Так как напряжение смещения базы стабилизировано с помощью стабилитрона, то при изменении поступающего от источника питания напряжения UBK ток через транзистор, а следовательно, и напряжение на нагрузке ( / вых изменяются в относительно небольших пределах. [8]
Однако и при смещении базы фиксированным током остается температурная нестабильность рабочей точки из-за температурной зависимости тока / ко. Поэтому схема рис. 8.23, а может применяться лишь в тех случаях, когда ток / мал и диапазон изменения температуры невелик. [9]
 |
Схема стабилизации режима питания транзистора с фиксацией тока базы.| Влияние изменения температуры на ток коллектора транзистора при минимальном токе базы. [10] |
Таким образом, ток смещения базы при принятых допущениях не зависит ни от параметров транзистора, ни от температуры р - n перехода. [11]
Индуктивность L в цепи источника смещения базы служит для увеличения сопротивления шунтирующего цепь база - эмиттер триода ПТь. Кроме этого, ток в индуктивности L, возникающий после прохождения импульса, не может быстро упасть до нуля. Вследствие этого обеспечивается быстрое переключение триода ПТь и быстрое запирание его после прохождения импульса. Импульс, возникающий на выходе триода ПТь, дифференцируется с помощью Ri, Ci и подается на базу триода ПТв. [12]
Это приводит к уменьшению тока смещения базы, что уменьшает коллекторный ток почти до прежнего значения. Режим работы в этом случае стабилизируется, так как мало зависит от колебаний температуры и разброса параметров транзистора. Схема работает удовлетворительно лишь при достаточно больших активных сопротивлениях в коллекторной цепи. [13]
 |
Устранение обратной связи на частотах сигнала. [14] |
Отметим, что сопротивление резистора смещения базы можно увеличить, и тогда увеличится входной импеданс схемы, но ток базы уже нельзя будет считать пренебрежимо малым. Другая возможность состоит в том, что в цепь обратной связи можно включить шунтирующий конденсатор, как показано на рис. 2.43. При этом удается избавиться от обратной связи ( а следовательно, и от пониженного входного импеданса) на частотах сигнала. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5