Смещение - электронная оболочка
Cтраница 2
 |
Качественная картина изменения мольной поляризации в зависимости от частоты поля. [16] |
Во втором случае, при высокой частоте v0, за время ( ] / 2) Т0 успеет произойти только смещение электронной оболочки молекулы относительно ядер, которое происходит за время, значительно меньшее периода колебаний для видимой или близкой ультрафиолетовой области спектра. Деформация ядерной конфигурации, а тем более ориентация молекулы по полю за время, сравнимое с периодом Г0, в этом случае произойти не могут. [17]
Смещение электронных оболочек приводит к образованию дй-польного момента в отдельном атоме, так как центры тяжести положительного и отрицательного зарядов атома перестают совпадать. Смещение электронных оболочек у всех атомов происходит в одном направлении, поэтому образующиеся дипольные моменты будут одинаково ориентированы в пространстве. [18]
Электронная поляризация представляет собой упругое смещение и деформацию электронных оболочек атомов и ионов. Поляризуемость электрона характеризуется смещением электронных оболочек атома и равна хэ г3 см3, где г - радиус атома. [19]
Различают три основных типа поляризации: поляризация электронного смещения, ионная поляризация и дипольная поляризации. Электронная поляризация обусловлена смещением электронных оболочек относительно положительных ядер. Поляризацией этого тина обладают все вещества. [20]
Различают три основных типа поляризации: поляризация электронного смещения, ионная поляризация и дипольная поляризация. Электронная поляризация обусловлена смещением электронных оболочек относительно положительных ядер. Поляризацией этого типа обладают все вещества. [21]
 |
Зависимость периода индукции при окислении церезина при 160 С от концентрации ингибитора. [22] |
Как указывалось, повышение реакционной способности соединений с системой сопряженных связей в присутствии парамагнитных частиц обусловлено образованием между ними КПЗ, сопровождающимся поляризацией диамагнитных молекул под влиянием ПМЧ. Эта поляризация, вызывая смещение электронной оболочки диамагнитной компоненты комплекса, способствует переходу последней в триплетное состояние под влиянием магнитного поля ПМЧ. Очевидно, процессы поляризации должны протекать тем легче, чем выше полярность ( диэлектрическая проницаемость) среды. [23]
Она происходит в кристаллических диэлектриках, построенных из положительных и отрицательных ионов, - в галоидно-щелочных кристаллах, слюдах, керамиках. В электрическом поле в таких диэлектриках происходит смещение электронных оболочек в каждом ионе - электронная поляризация. Это смещение приводит к появлению дополнительного электрического момента / п, увеличивающего поляризованность, а следовательно, и диэлектрическую проницаемость на еги. Таким образом, диэлектрическая проницаемость ионного кристалла равна ег - eroo - f еги, где еги зависит от физической природы ионов, сил их взаимодействия и строения кристаллической решетки. [24]
В сторону усиления связи действует также и притяжение ядром аниона орбитальных электронов катиона. Подобное взаимное влияние электрических зарядов ионов и смещение электронных оболочек в соседних ионах называется поляризацией. Размеры анионов, как правило, больше, чем катионов, так как при образовании первых происходит присоединение электронов к нейтральным атомам, а при образовании вторых - потеря. Поэтому внешние электроны в анионах дальше отстоят от ядра и слабее с ним связаны, чем в катионах. Соответственно анионы легче поляризуются, чем катионы. [25]
Эти примеры интересны еще и тем, что в них решающую роль играет не смещение электронных оболочек под влиянием соседних атомов и групп ( эффекты индукции и сопряжения), которые преимущественно изучаются в современной теории органической химии, а качественные различия, связанные с участием электронов этих оболочек в образовании других валентных связей. [26]
В металлах область поглощения и практически полного отражения электромагнитных волн простирается от самых низких частот до УФ ( см. рис. 3.12.5) благодаря черзвычайно высокой концентрации свободных электронов. Однако выше частоты плазменных колебании, обычно - - в УФ-области, коэффициент оп-тьческого преломления металлов обусловлен смещением глубинных электронных оболочек атомов ( оптической поляризацией) и лишь для весьма жестких волн в металлах, как и в диэлектриках, со с. Интересен случай ковалентных полупроводников ( см. рис. 3.12 г), где в ИК-области ( а при низких температурах - в диапазоне СВЧ и даже ВЧ) кристаллы ведут себя как диэлектрики. В самом деле, низкочастотное поглощение обусловлено термически воЗ бужден-ь. Это явление широко используется в ИК-оптнке ( см. гл. В оптическом диапазоне прозрачность полупроводников исчезает из-за фундаментального оптического поглощения ( электронных переходов типа зона - зона), а в области ультрафиолета эти кристаллы ведут себя как металлы. [28]
 |
Кривые распада Те127, адсорбированного на различных стеклах. [29] |
В работах [333 334] описывается восстановление в водных растворах дочерних изомеров теллура ( Те127, Те129) из шестивалентного в четырехвалентное состояние. Стекло 3G - 4 характеризуется значительным содержанием свинца, который входит в его состав в качестве иона-модификатора, располагающегося в пустотах кремнекислородного каркаса. Благодаря смещению электронной оболочки расположенные на поверхности ионы РЬ2 ведут себя как электронейтральные атомы свинца, способные осуществлять металлическую связь с атомами других металлов. [30]
Страницы: 1 2 3