Смещение - положение
Cтраница 1
Смещение положения шарика в цанге регулировкой упора позволяет зажимать детали с диаметрами отверстий, изменяющимися в пределах от - 0 2 до 0 3 мм. Комплект из девяти цанг, из которых шесть имеют по три ступени, а три - по две, позволяет закреплять детали с базовыми отверстиями от 6 до 30 мм с интервалом через 1 мм. [1]
Смещение положения Тс на оси температур на рис. 28 и 29 влево по мере увеличения нагрузки происходит вследствие ранее рассмотренного влияния силы. [3]
Такое смещение положения пика ( сигнала) в зависимости от вида атомов, окружающих данный протон, называют химическим сдвигом. [4]
Наиболее примечательно смещение положения а-максимума в сторону низких температур и увеличение высоты р-релаксационного максимума. [5]
Поправка на смещение положения нулевой точки появляется в результате старения термометра за счет структурного изменения в стеклянной оболочке резервуара. Объем резервуара уменьшается, в результате чего показания завышаются. [6]
Поправка на смещение положения нулевой точки термометра периодически определяв. [7]
BtfeO ведет к смещению положения морфотропной границы к составам с содержанием 91 и 85 мол. [8]
СО предназначен для учета смещений положения градуировочной характеристики на плоскости координат. Такое смещение может быть следствием дрейфа характеристики или возникать при анализе проб, состав которых ( иногда и другие параметры) отличается от состава комплекта образцов. [9]
Увеличение зазоров ведет к смещению положения вала в процессе работы. Вал гуляет в подшипнике. Вибрация радиальная, неустойчивая во времени; растет с увеличением нагрузки. Увеличение зазоров ведет к относительному увеличению вертикальной составляющей вибрации по отношению к горизонтальной. [10]
Наряду с этим по смещению положения рефлексов с температурой определяют соответствующие коэффициенты теплового расширения также вдоль различных направлений относительно оси молекулы. [11]
Оба фактора приводят к смещению положения пика. Однородные напряжения растяжения, например, вызывают уменьшение межплоскост - ]: ых расстояний d в направлении, перпендикулярном плоскости пленки. В кристаллитах различной ориентации величина этого сжатия бывает различной из-за анизотропии упругих констант. Дефекты упаковки в гране-центрированных структурах могут быть охарактеризованы кристаллографически как тонкие слои гексагонального материала. Их влияние на дифракционную картину должно приводить к уширению линий и смещению их в сторону положений гексагональных линий. [12]
Тогда проверка осуществляется по смещению положения линии обработки. Выпадение отдельных точек не учитывается. [13]
В противном случае поправкой на смещение положения забоя водяной и в особенности газовой скважины пренебрегать нельзя. [14]
При изменении толщины пластинки происходит смещение положения вершины крюка вдоль шкалы длин волн, что позволяет исследовать дисперсию в необходимом интервале длин волн. [15]
Страницы: 1 2 3 4