Cтраница 2
По мнению авторов [76, 77], изменение электронного строения молекулы при введении посторонних заместителей может быть условно подразделено на две группы, в зависимости от того, изменяется ли распределение электронной плотности или положение энергетических уровней. Влияние заместителя X по-разному сказывается на изменении распределения электронных плотностей и на смещении энергетических уровней я-электронов, которые в произвольном ряду не связаны друг с другом монотонно. [16]
По мнению авторов [76, 77], изменение электронного строения молекулы при введении посторонних заместителей может быть условно подразделено на две группы, в зависимости от того, изменяется ли распределение электронной плотности или положение энергетических уровней. Влияние заместителя Xj по-разному сказывается на изменении распределения электронных плотностей и на смещении энергетических уровней л-электронов, которые в произвольном ряду не связаны друг с другом монотонно. [17]
Уран относится к группе элементов актинидного ряда, у которых незаполненная оболочка 5 / частично экранируется от электрического поля решетки 6s - и бр-электронами. Однако экранирующее действие их не велико хотя и значительно больше, чем для Sd-элек-тронов группы железа, поэтому смещение энергетических уровней по сравнению со случаем свободных ионов урана выражено довольно значительно. [18]
Уровни Ферми, которые мы изображаем так, чтобы энергетические расстояния от них по-прежнему однозначно определяли концентрацию носителей заряда, генерируемых тепловым движением, уже не совпадают в обоих полупроводниках. Разрыв между ними ef соответствует разности потенциалов ср, возникшей в результате освещения. Смещение энергетических уровней при освещении приводит к возрастанию потока равновесных электронов из электронного полупроводника в дырочный и равновесных дырок в обратном направлении. [19]
Свойства фуллеренсодержащих полимеров в значительной степени обусловлены входящим в их состав фуллереном и изменением его электронной системы после присоединения полимерных цепей. Показано, что по мере увеличения числа лучей на молекуле Cg0 происходит монотонный сдвиг спектра ФЛ в сторону коротких длин волн. Сдвиг максимума спектра ФЛ обусловлен смещением энергетических уровней его молекулярных орбиталей при раскрытии соответствующего числа связей СС, поэтому уровни HOMO и LUMO, отвечающие за излучательные переходы, претерпевают сдвиги, и зазор между ними увеличивается. [20]
Электрон, медленно движущийся в полярной среде, вызывает локальную поляризацию окружения. При взаимодействии электрона с фононом, соответствующем локальному смещению иона, образуется полярон. Взаимодействие двух соседних молекул, находящихся в возбужденном состоянии в молекулярном кристалле ( или групп отдельных молекул), может вызвать на какое-то время смещение атомов из их обычных положений и смещение энергетических уровней электронов. [21]
В определенных условиях спектр газового разряда становится сплошным. Это значит, что, в противоположность полосам молекулярного спектра, сплошную полосу спектра не удается разложить на отдельные линии, как бы велика ни была разрешающая сила спектрального прибора. Другой случай сплошного спектра имеет место при так называемом явлении предиссоциации молекул газа. Это явление состоит в том, что за время небольшого числа колебаний молекулы-вибратора эта молекула успевает диссоциировать. Третий случай сплошного спектра представляет собой спектр свечения Ne, Ar, Кг и Хе в дуговом разряде при давлении в десятки атмосфер, когда отдельные спектральные линии этих газов выступают на ярком сплошном фоне. В Хе, наиболее интенсивные спектральные линии которого лежат в инфракрасной части спектра, интенсивность сплошного спектра в этих условиях плавно изменяется на протяжении всей видимой и значительной части ультрафиолетовой области. Непрерывный спектр инертных газов объясняется смещением энергетических уровней атомов в сильных атомных полях, возникающих при сближении и соударении атомов, на которое накладывается свечение рекомбинации и свечение торможения свободных электронов в микрополях изотермической плазмы. [22]