Смещение - граница - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Жизнь уходит так быстро, как будто ей с нами неинтересно... Законы Мерфи (еще...)

Смещение - граница

Cтраница 4


При увеличении поля смещения границ доменов делаются необратимыми.  [46]

Сз - величина смещения приемочной границы относительно границы допуска изделия.  [47]

Следовательно, при смещении границы между областями А1 и Л2 в любую сторону от точки ха вероятность ошибки д увеличивается и, следовательно, вероятность правильного решения р уменьшается.  [48]

Следовательно, при смещении границы между областями А и А % в любую сторону от точки XQ вероятность ошибки q увеличивается и, следовательно, вероятность правильного решения р уменьшается.  [49]

Головка для записи путем смещения границы ( рис. 36, б) состоит из основной ( постоянный магнит, ярмо и шунт) и управляющей магнитных цепей, которые разделены воздушным зазором. Магнитные силовые линии основной магнитной цепи проходят через ярмо правую половину шунта, воздушный зазор, сердечник управляющей магнита, воздушный зазор, левую половину шунта и ярмо. Магнит ные силовые линии управляющей магнитной цепи замыкаюто через U-образный шунт и сердечник управляющего магнита, а такж через воздушный зазор. Магнитный носитель намагничиваете до насыщения по обе стороны от центра головки полями противопс ложной полярности, а в центре - не намагничивается. Если реги стрируемое напряжение не равно нулю, то через катушку протекав ток определенной полярности, что и создает управляющее магнит ное поле. По одну сторону оси симметрии головки поля суммируются а по другую - вычитаются; при этом граница полей смещаете. Чем больше сигнал, тем больше смещение границы; при изменени полярности сигнала изменяется направление смещения. Погрешност записи составляет 1 - 2 % и не зависит от изменений магнитной во приимчивости феррослоя ленты.  [50]

51 Статическая кривая намагничивания ферромагнетика. [51]

Зоны: / - смещение границ; 2 - вращение векторов; 3 - насыщение.  [52]

53 Изменение индукции и доменной структуры при намагничивании ферромагнетика. [53]

При слабых полях наблюдается смещение границ доменов, в результате чего происходит увеличение тех доменов, векторы намагниченности которых составляют с направлением поля Я меньший угол.  [54]

В некоторых случаях для смещения границы помпажа в сторону малых расходов может быть использован принцип парциального всасывания.  [55]

56 Процесс намагничивания ферромагнитного кристалла, состоящего из отдельных доменов.| Основная кривая намагни - Wf1 4 0 приложить чивания и петля гистерезиса небольшое поле, как в. [56]

Если намагничивание обусловлено процессом смещения границ, то ферромагнетик намагничивается очень легко.  [57]

Гистерезис, обусловленный задержкой смещения границ между доменами. О механизме возникновения гистерезиса за счет необратимого смещения границ доменов упоминалось при анализе зависимостей, изображенных-на рис. 1.38. Как указывалось, точке Е соответствует устойчивое состояние, которому предшествовало перемещение границы доменов под действием внешнего поля в область, расположенную правее точки Е, например в точку D, и последующее смещение влево до точки Е с минимумом энергии после снятия внешнего поля. Для перемещения границы доменов далее влево до точки О, которой соответствует размагниченное состояние, необходимо приложить некоторое поле обратного направления, которое представляет собой коэрцитивную силу Нс, обусловленную задержкой смещения границ между доменами. Сохранив принятое при рассмотрении указанного примера допущение о том, что домены имеют форму плоскопараллельных слоев, тем самым будем считать, что при смещении границы доменов ее поверхность остается неизменной.  [58]

59 Локализованность области прогиба вблизи места закрепления доменной стенки в случае ( о сегнетоэлектрикаи ( б сегнетоэластика. Замкнутой линией показаны линии равных смещений доменной стенки. [59]

В случае сегнетоэлектрика-сегнетоэластика фурье-образ смещения границы получается добавлением слагаемого 2тфб0 ( / о /) / / с в знаменателе выражения для C / k (5.3) чистого сегнетоэлектрика.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5