Обратное смещение - коллекторный переход
Cтраница 2
Конденсатор переменной емкости С3 устраняет возбуждение каскада ( см. разд. Как показано на рис. 3.5, напряжение обратного смещения коллекторного перехода транзистора подается на среднюю точку катушки индуктивности Z, через дроссель высокой частоты ( ДВЧ), обладающий высоким реактивным сопротивлением для колебаний несущей, благодаря чему ослабляется шунтирующее действие источника питания. Выходные сигналы передаются в колебательный контур, образованный элементами 1 и С5, для дальнейшего усиления усилителями класса В или поступают на антенную систему для излучения. [16]
Падение напряжения на резисторе R4 обеспечивает положительный потенциал базы транзистора Т3 и отрицательный потенциал эмиттера. Отрицательный вывод батареи В соединен непосредственно с эмиттером транзистора Т3, а необходимое обратное смещение коллекторного перехода этого транзистора создается подключением коллектора к положительному выводу батареи Bj через катушку громкоговорителя. [17]
Для получения нужного прямого смещения во входной цепи транзистора Т2 его эмиттер присоединен к положительному выводу источника. Следовательно, потенциал коллектора транзистора Tj и базы Т2 отрицателен относительно положительного вывода источника. Таким образом, обеспечивается требуемое обратное смещение коллекторного перехода р-п - р-транзистора. [18]
 |
Схемы ИЛИ и их условные обозначения. [19] |
На рис. 8.2 6 показана схема ИЛИ, реализованная на транзисторах, включенных с объединенным эмиттером. На оба коллектора подается положительное напряжение, создающее обратное смещение коллекторных переходов. При отсутствии входных сигналов транзисторы практически заперты и выходной сигнал отсутствует. Однако, когда к входу А прикладывается импульс положительной полярности, транзистор Tj отпирается. Возникает ток эмиттера, который протекает через резистор в цепи эмиттера и создает на этом резисторе падение напряжения, являющееся выходным сигналом. [20]
На рис. 1.11 показан другой тип схем с отрицательной обратной связью. В схеме на рис. 1.11 а для получения отрицательной обратной связи по току исключен конденсатор, которым обычно шунтируют резистор R2 в цепи эмиттера. Поскольку здесь используется транзистор р-п-р-типа, для создания прямого смещения необходимо, чтобы эмиттер был положительным относительно базы. Для получения обратного смещения коллекторного перехода на коллектор подается отрицательное напряжение. В результате ток, протекающий по резистору в цепи эмиттера, создает падение напряжения указанной на рисунке полярности. Поскольку это падение напряжения на резисторе сопротивлением 330 Ом устанавливает потенциал эмиттера отрицательным относительно потенциала базы, имеет место отрицательная обратная связь. [21]
При помощи этой регулировки синхронизируют частоту колебаний мультивибратора с частотой входных синхроимпульсов и добиваются максимальной стабильности частоты кадровой развертки. Как показано на рисунке, положительный вывод источника питания подключен к эмиттерам всех транзисторов, а отрицательный вывод источника заземлен. Таким способом создается нужное обратное смещение коллекторных переходов транзисторов. Выходное напряжение транзистора Т3 формируется на дросселе LI и поступает непосредственно на кадровые отклоняющие катушки. При этом, поскольку коллекторная цепь представляет собой малое выходное сопротивление для постоянного тока, обеспечивается хорошее согласование с кадровыми катушками, имеющими малое сопротивление. [22]
Рассмотрим принцип работы транзистора. Когда ключ К на рис. 5.9 разомкнут, ток в цепи эмиттера отсутствует. При этом в цепи коллектора имеется небольшой ток, называемый обратным током коллектора и обозначаемый / с во. Этот ток очень мал, так как при обратном смещении коллекторного перехода потенциальный барьер велик и непреодолим для основных носителей - дырок коллектора и свободных электронов базы. Коллектор легирован примесью значительно сильнее, чем база. Вследствие этого неосновных носителей в коллекторе значительно меньше, чем в базе, и обратный коллекторный ток создается главным образом неосновными носителями: дырками, генерируемыми за счет тепловых колебаний решетки в базе, и электронами, генерируемыми в коллекторе. [23]
Страницы: 1 2