Постоянное смещение

Cтраница 3

Если к модулятору приложить постоянное смещение ( UCK U / 2 рис. 4.16 6), то амплитуда переменной составляющей и глубина модуляции существенно увеличиваются. Модулятор работает на крутом участке управляющей характеристики. [31]

Осциллограммы напряжения, содержащего по-1 стоянную и переменную составляющие. [32]

В первом случае наблюдается постоянное смещение луча вверх или вниз от нулевой риски шкалы и переменная составляющая изображается наложенной на постоянную составляющую. Во втором случае на экране видна только переменная составляющая. [33]

Транзистор. а - типа р-ге - р. б - типа га-р-ге. в - выполнение р-га-переходов. г - конструктивное оформление. д - схемное обозначение для типа р-п - р. е - то же, для типа п-р - п. [34]

На эмиттерный переход подается небольшое постоянное смещение ( 0 1 - 0 2 в) в прямом направлении от батареи Еа. На коллекторный переход подается большое запирающее напряжение ( 30 - 50 в) от батареи Ек. Таким образом, эмиттерный переход оказывается открытым, а коллекторный - закрытым. [35]

Предположим, что кроме постоянного смещения, большего ЕПО. [36]

В этом случае разложение постоянного смещения между этими характеристиками на вертикальную и горизонтальную составляющие, соответствующие - падению напряжения в индуктивном сопротивлении Потье и реакции якоря, перестает быть однозначным. [37]

Ест - амплитуда напряжения постоянного смещения. [38]

При частотах frfmaxm и постоянном смещении V0V0nTm напряжение гетеродина с амплитудой VT - m / 2 hfr / q будет захватывать нелинейный участок ВАХ вблизи Vg, не заходя в неустойчивую область VVd. С и Vd V lOVpi, полученные в [117], приведены на рис. 3.18 для первого и второго пиков преобразования ниже Vg. Q4, что для ТП на основе свинца или ниобия дает 100 и 300 ГГц соответственно. [39]

На вход транзистора Т подаются постоянное смещение Е0, модулируемое напряжение еи через трансформатор высокой частоты Тр и модулирующее напряжение в Q через трансформатор низкой частоты Тр. Блокировочный конденсатор Сел имеет малое сопротивление для высокой частоты о и большое для модулирующих частот Q.J. Транзистор работает без отсечки стокового тока. [40]

С фазового детектора подается также постоянное смещение напряжением 100 в, что обеспечивает согласование фазы компенсации прогиба мембраны. [41]

Характеристики МУ. а - с положительной обратной связью. б - релейный режим с двумя устойчивыми состояниями. в - релейный режим с одним устойчивым. [42]

Если на обмотку управления подать дополнительное постоянное смещение / у / у j, то характеристика смещается вправо ( рис. 7.6, в) и магнитный усилитель работает как обычное нейтральное реле. [43]

Характеристики МУ. а - с положительной обратной связью. б - релейный режим с двумя устойчивыми состояниями. в - релейный режим с одним устойчивым. [44]

Если на обмотку управления подать дополнительное постоянное смещение / у 1У1, то характеристика смещается вправо ( рис. 7.6, в) и магнитный усилитель работает как обычное нейтральное реле. [45]

Страницы: 1 2 3 4