Отрицательное смещение
Cтраница 5
Если установить отрицательное смещение, соответствующее середине прямолинейного участка сеточной характеристики, и амплитуду сигнала выбрать заведомо большей напряжения отрицательного смещения, то амплитуда тока в анодной цепи ограничителя не будет зависеть от величины напряжения яа входе ограничителя. [61]
При этом отрицательное смещение, обратно пропорциональное сопротивлению цепи датчика, резко уменьшается, анодный ток лампы становится меньше тока отпускания реле Р и его якорь отпадает. [62]
 |
БО. Транзистор полупроводниковой ИС с изолирующим р-п переходом.| Эквивалентная схема МДП транзистора. [63] |
При отсутствии отрицательного смещения на изолирующем переходе паразитный транзистор работает в режиме инверсной инжекции. Это вызывает увеличение заряда, накапливаемого коллектором, и увеличение времени запирания основного транзистора. При отрицательном смещении на изолирующем переходе время запирания основного транзистора уменьшается за счет коллектирования переходом коллектор - подложка части заряда, накопленного в коллекторной области. [64]
 |
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.| Ограничитель на полупроводниковом диоде. [65] |
При увеличении отрицательного смещения вольтамперная характеристика от точки А круто идет вниз, оставаясь приблизительно параллельной оси токов. В точке В характеристика получает отрицательный наклон, что соответствует началу пробоя. [66]
При наличии отрицательного смещения 50 - 150 В подложка подвергается интенсивной бомбардировке ионами Аг с соответствующей энергией. Из сказанного следует, что специфика катодного распыления во влиянии на активированное состояние заключается в следующем. При осаждении пленок ионно-плазменным методом возможны интенсивные активированные состояния, которые не свойственны термовакуумному или каким-либо другим методам осаждения пленок. В пленках, нанесенных катодным распылением, возможно появление примесей или структурных комплексов, которые резко отличаются от примесей и структурных комплексов в обычных пленочных материалах. Они могут явиться эффективными стопорами в различных процессах релаксации. Интенсивная бомбрадировка ионами аргона в процессе формирования пленки способствует в то же время протеканию интенсивных процессов релаксации активированного состояния. [67]
Величину этого отрицательного смещения можно регулировать изменением сопротивления г6, падение напряжения на котором делает потенциал сетки более положительным; таким путем сопротивлением г6 лампа может быть поставлена в желательный режим по ее сеточной характеристике. [68]
 |
Определение выгодной величины нагрузочного сопротивления анодной цепи выходной лампы. [69] |
При выборе отрицательного смещения для управляющей сетки необходимо учитывать следующие обстоятельства. Для каждой лампы, как нам известно из гл. Этой величиной определяется и значение постоянного анодного тока. [70]
При включении достаточно большого отрицательного смещения на коллектор концентрация p ( w) согласно ( 2 - 13а) падает почти до нуля. [72]
При включении достаточно большого отрицательного смещения на коллектор концентрация р ( w) согласно ( 2 - 13а) падает почти до нуля. [73]
При этом положительное и отрицательное смещения характеристик управления МУ1 и МУ2 в плоскости координат были пояснены выше и формально ( смещение характеристики каждого МУ под действием тока смещения и уже по ней отыскание выхода по данному входу), и содержательно как итог анализа физических процессов в РМУ. [74]
Триод заперт отрицательным смещением и отпирается импульсами положительной полярности, подводимыми с выхода уплотняющей аппаратуры. Заметим, что в станциях импульсной связи уплотняющая аппаратура размещается вместе с ( радиочастотной, так как передача импульсов по обычному кабелю без больших искажений невозможна. В первичной обмотке трансформатора возникают импульсы отрицательной полярности, а во вторичной - положительные. Они подаются а анод генераторного триода, и последний генерирует радиоимпульсы этой же длительности. [75]
Страницы: 1 2 3 4 5