Положительное смещение

Cтраница 3

При малых положительных смещениях наряду с инжек-ционным механизмом начинает действовать и быстро становится преобладающим над генерационным рекомбинаци-онный механизм, обусловленный рекомбинацией в переходе. Рекомбинационный ток представляет собой не что иное, как потери инжекционного тока. [31]

Зубья колес ( z 40. нарезанных с различным смещением. [32]

Так, положительное смещение приводит к утолщению зуба у основания и уменьшению кривизны профиля, так как зуб очерчивается более удаленным от основной окружности участком эвольвенты. Такие изменения формы способствуют повышению его прочности. [33]

Дыэб - положительное смещение, необходимое для получения заданной длительности заднего фронта ( 3 - 5 б); f / fl0 - падение напряжения на диоде. [34]

Схема червячного колеса. [35]

Предпочтительно использовать положительные смещения, при которых одновременно повышается прочность зубьев колеса. [36]

Электрогидравлическая функциональная схема термоограничителя НПО. [37]

V подается положительное смещение. Транзистор открывается, и срабатывает реле К. [38]

Предпочтительно использовать положительные смещения, при которых несколью повышается нагрузочная способность передачи. Значительное положительное смещение для этих передач является дополнительным фактором повышения нагрузочной способности. [39]

Схема червячного колеса. [40]

Предпочтительно использовать положительные смещения, при которых одновременно повышается прочность зубьев колеса. [41]

Эетрофироеание - положительное смещение продукционно-деструк-ционного баланса в водоемах при избыточном поступлении биогенных питательных веществ ( в основном фосфора и азота), приводящее к повышенной продуктивности ( цветению) и вторичному загрязнению воды. [42]

Упрощенная энергетическая диаграмма туннельных переходов в системе металл - диэлектрик - вырожденный р-полу-проводник при различных напряжениях смещения. [43]

С увеличением положительного смещения будет наблюдаться быстрое и монотонное возрастание тока, обусловленное пониже-нием высоты барьера окисла. При приложении малого отрицательного смещения ( рис. 5.22, в) туннельный ток оказывается достаточно большим по величине и обусловлен электронными переходами из металла на свободные состояния валентной зоны полупроводника. С увеличением отрицательного смещения эффективная высота барьера для электронов, туннелирующих на незаполненные состояния валентной зоны, увеличивается ( рис. 5.22, г), что вызывает уменьшение сквозного тока и приводит к появлению отрицательного участка на вольт-амперной характеристике. Наконец, при еще большем отрицательном смещении ( рис. 5.22, д) для электронов металла, концентрация которых весьма велика, появляется новая возможность туннелирования на незаполненные состояния зоны проводимости полупроводника. При этом наблюдается резкое и монотонное увеличение тока. [44]

Изменяя напряжение положительного смещения на сетках обеих ламп, можно плавно и в широких пределах изменять частоту F. На аноде лампы Лг при этом будут действовать им - 9.13. Крас - пульсы с постоянной длительностью tul и плавно чету делителя регулируемым периодом повторения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5