Температурное смещение

Cтраница 2

Эквивалентная схема для анализа температуркой нестабильности рабочей точки транзистора. [16]

В кремниевых транзисторах вследствие малости / ко температурное смещение напряжения базы является основной и практически единственной причиной, вызывающей смещение рабочей точки. [17]

В корпусных деталях станков обычно наибольший интерес представляют температурные смещения стенок, входящих в размерную цепь системы СПИД. [18]

В Московском станкоинструментальном институте разработана система автоматической компенсации температурных смещений шпинделя шлифовального станка с коррекцией за счет-регулирования толщины смазочного слоя в гидростатических: опорах шпинделя. [19]

Однако если разностное напряжение, величина которого определяется температурным смещением рабочей точки, усилить с помощью дополнительного каскада, то даже при небольшом сопротивлении резистора R3 можно значительно повысить стабильность схемы, так как в этом случае отрицательная обратная связь, действующая по разностному напряжению, будет усилена. [20]

При открытой прокладке винипластовых труб их крепление должно предусматривать свободное температурное смещение. Там же приведены требования к прокладке винипластовых труб при их замоноличивании в подготовке полов. [21]

Эти ветви нанесены с учетом полосы разброса, а также температурного смещения. [22]

Таким образом, приходится констатировать, что хотя физическая природа температурного смещения линий к настоящему времени существенно прояснилась, при интерпретации экспериментальных данных встречаются значительные трудности. Они связаны, во-первых, с невозможностью достаточно убедительно разделять вклады, обусловленные температурным расширением решетки, и электрон-фопоиным взаимодействием; во-вторых, с неудовлетворительностью существующей методики разделения вкладов от различных процессов электрон-фононного взаимодействия, которая базируется на недостаточно точной теоретической модели явления. Разумеется, отход от реальной точечной симметрии активаторного центра также усугубляет проблему. [23]

Температурные спектры стимулированного и.ч. чук иия ОКГ ( переход Г - - 4Ли на основе кристалла Lu3Al60J2 - - Nd. l Реперная линия Я.. 10 561 Л. [24]

Исследования показали, что данное переключение обусловлено резонансным эффектом вследствие температурного смещения энергетических уровней активаторного иона. [25]

Влияние температуры на тепловой ток и коэффициент передачи приводит к температурному смещению статических характеристик транзистора. [26]

При работе с нерегистрирующими приборами и с приборами, в которых температурное смещение спектров очень мало по сравнению с шириной аналитических полос, измерения ведут при определенном значении длины волны, которое контролируют по шкале прибора. На приборах, у которых температурное смещение спектров велико, трудно по шкале прибора установить длину волны точно в максимуме полосы поглощения. Поэтому для каждой анализируемой пробы записывают при достаточно медленной скорости развертки небольшой участок спектра, включающий максимум аналитической полосы. [27]

Котлы эксплуатировались с неравномерной нагрузкой, реперы для ведения контроля за температурными смещениями элементов котлов отсутствовали, индикаторы агрессивности котловой воды установлены не были, пассивация котловой воды не проводилась, несмотря на явные признаки ее агрессивности. [28]

Уравнение ( 11) показывает, что плотность потока тепла прямо пропорциональна температурному смещению ЛГ объемной теплоемкости тела с, квадрату скорости распространения w2r тепла и обратно пропорциональна скорости распространения WT изотермической поверхности. [29]

Спектры люминесценции ( Ft, - 4At / ПРИ 00 лического расщепления мультиплетов Ftli и f /. [30]

Страницы: 1 2 3 4