Cтраница 3
![]() |
Поперечные зазоры Sg и 5Ш цепи, при которых обеспечиваются повороты звена поперек шарнира цепи. [31] |
При контроле правильности монтажа по второму методу ( метод 2) учитывается лишь взаимосвязь направления угла 9t непараллельности валов с общим смещением ASO срединных плоскостей звездочек относительно срединной плоскости центров зубчатых венцов. [32]
По заключению Теокариса разность свойств матрицы и межфазного слоя непременно приводит к различию в температурах их стеклования, однако вследствие этого происходит общее смещение Tg композита в результате наложения двух температур стеклования. Таким образом, теоретический анализ Теокариса объясняет причину смещения Tg, однако не выявляет условия разделения максимумов. [33]
![]() |
Собирательные схемы.| Триггерная схема. [34] |
Триггерная схема ( рис. 37) в простейшем случае содержит два триода, которые соединены перекрестными связями между анодами и сетками и имеют общее смещение. Это заставляет схему находиться в одном из двух устойчивых состояний до тех пор, пока внешний сигнал не изменит этого состояния. [35]
Если же при регистрации фотопластинка помещается вне фурье-плоскос-ти, например в плоскостях HI или Нг ( рис. 86), то получаемая спекл-интер-ферограмма отражает общее смещение спекл-картины. [37]
При контроле правильности монтажа по третьему методу ( метод 3) учиты-вается полная взаимосвязь ( направление и величина угла 9Х) между углом непараллельности валов 9j и общим смещением Д срединных плоскостей звездочек относительно срединной плоскости центров зубчатых венцов. [38]
В пиридиновом кольце заместители вызывают, вследствие эффекта сопряжения, смещение - полосы поглощения в сторону больших длин волн, и, кроме того, накладывающийся на это общее смещение батохромный или гипсохромный сдвиг в зависимости от положения заместителя. Эти последние сдвиги вызываются индуктивным эффектом. Исключением является азазамещение СН-группы в пиридине, приводящее к диазину, в котором имеет место только индуктивный эффект. [39]
Второе следствие заключается в том, что если водородный атом радикала кислоты замещен группой, электроотрицательность которой меньше, чем электроотрицательность водорода, то обусловленное этим некоторое освобождение связующей пары электронов вызовет общее смещение электронов в направлении, противоположном тому, о котором речь шла выше, и замещенная кислота сделается более слабой. [40]
Определив последовательно по формуле горизонтальные проекции отдельных интервалов, отложив их значения в масштабе по направлениям дирекционных углов и соединив начальную точку первого интервала с конечной точкой последнего интервала, получим общую горизонтальную проекцию скважины или общее смещение оси скважины от вертикали на исследованном участке. Величина смещения и его направление отмечаются на плане. [41]
Проекция оси скважины на горизонтальную плоскость, полученная путем последовательного построения горизонтальных проекций отдельных участков скважины, начиная с наименьшей глубины, на которой линия, соединяющая начальную точку первого интервала ( устье скважины) с конечной точкой последнего интервала ( забой скважины), отражает общее смещение оси скважины от вертикали на изучаемом участке ( сокр. [42]
Общее смещение положения интерференционных полос должно составлять 8 / юо расстояния между полосами - величина легко измеримая. [43]
Простая модель кристалла ( рис. 2.1) с несколькими краевыми дислокациями, прошедшими разные расстояния, показывает, как движение дислокаций приводит к появлению остаточной деформации. Общее смещение верхней части кристалла по отношению к нижней равно А. [44]
![]() |
Схема тракта высокой и промежуточной. [45] |