Cтраница 2
Смин Ста) ч - ( Смакс Сс х) ( 12 39 7) ч - ( 495 39, 7) 51 7 - 534 7 пф. [16]
Для СМИн / СМакс 1 максимальная эффективность при прямотоке составляет половину соответствующей величины при противотоке. [17]
Обозначим смин и тмт. [18]
Здесь Смин и Смакс - минимальная и максимальная емкости выбранного конденсатора переменной емкости. [19]
С ин Смин - f - 50, а / макс - максимальная астота диапазона, Мгц. [20]
Сиакс / Смин, где Смакс и С мин - макс, и минпм. [21]
![]() |
График зависимости емкости полупроводникового диода от напряжения смещения ( а и эквивалентная схема полупроводникового диода ( б.| Эквивалентные схемы параметрических усилителей. [22] |
Сыако и Смин - значения емкости диода при минимальном и максимальном мгновенных напряжениях на диоде соответственно. [23]
Смин; Смин соответствует пробивному напряжению Z7np; cp - высота потенциального барьера ( для кремниевых диодов 2 0 5 вольта); Л9 - последоват. [24]
![]() |
Зависимость минимальной и максимальной емкостей конденсатора перестройки от положения плоскости его включения в резонатор. [25] |
Смакс и СМИн достаточно велики н поэтому неудобны для конструктивного выполнения конденсатора. [26]
СвСмакс / Смин который показывает, во сколько раз изменилась емкость варикапа при изменении обратного напряжения от минимального до максимального значения. Варикапы характеризуют так же и теми же параметрами, что и обычные выпрямительные диоды. [27]
Смакс - Смин) / ( Смакс Сми) - глубина модуляции емкости, то при т т к 2 / Q ( Q 1 - добротность контура) энергетич. При значит, отстройке ю г от значения 2со0 ( выход из зоны генерации) самовозбуждения не происходит, но при определенных условиях внеш. [28]
У макс / Смин, где Смакс и Смин - макс, и миним. [29]
Смаке и / Смин - максимальный и минимальный коэффициенты передачи в заданном диапазоне частот. [30]