Проводящий диод
Cтраница 3
К запертому вентилю прикладывается обратное напряжение, равное напряжению на вторичной обмотке трансформатора, так как анод неработающего диода присоединен к одной фазе, а его катод через проводящий диод, падение напряжения на котором в предположении идеальности вентиля равно нулю, - к другой фазе вторичной обмотки трансформатора. [31]
По прямому сопротивлению преимущество имеют германиевые диоды; кремниевые диоды, имеющие более высокое прямое сопротивление, применяются в особых случаях, когда допустимо большое падение напряжения на проводящем диоде ( не менее 0 5 в) и диапазон температур внешней среды превышает допустимый интервал температур для германиевых диодов. [32]
Остальные диоды заперты за счет падения напряжения на общем сопротивлении общ - Отрицательный управляющий импульс поступает через емкость Свх на аноды всех диодов ДП, снижая напряжение на проводящем диоде, в результате чего диод переходит в непроводящее состояние. При уменьшении тока через этот диод на его нагрузочном сопротивлении R возникает отрицательный импульс напряжения, который через емкость связи С передается на катод диода следующей ячейки. [33]
 |
К анализ режимов работы диодной логической схемы с объединенными. [34] |
И для произвольного режима так как показано на рис. 5.2, б, откуда видно, что при / 0 напряжение на выходе близко к нулю, так как проводящие диоды нулевых входов будут играть роль фиксирующих диодов, передавая на выход г нулевой потенциал. [35]
Вентиль, не работающий в отрицательную часть периода, оказывается под воздействием обратного напряжения, равного двойному фазному напряжению 2 С / 2, так как положительный потенциал вывода а ( ft) вторичной обмотки трансформатора через проводящий диод VI ( V2) подается к катоду диода V2 ( V1), а анод закрытого вентиля имеет отрицательный потенциал. [36]
Если ток нагрузки не превышает этой предельной величины, полное эквивалентное сопротивление, подключенное к узлу, равно прямому сопротивлению проводящего диода, что составляет - 100 ом, а выходное напряжение отличается от - Vc на небольшую величину прямого падения на проводящем диоде ограничителя. [37]
Если же при прямом напряжении на тиристоре замкнуть ключ S, то через резистор R в управляющий электрод начнет поступать отпирающий ток, который вызовет переход тиристора в состояние высокой проводимости, произойдет включение тиристора После этого напряжение между анодом и катодом, оставаясь положительным, уменьшается до значения, примерно равного прямому напряжению в проводящем диоде В последовательной цепи появится прямой ток, а напряжение на нагрузке будет почти совпадать с входным напряжением. [38]
Если ток проводящего диода и напряжение на запертом диоде изменяются в значительной степени, то пользоваться постоянными величинами и р и / ogp можно не всегда. В этом случае возможна аппроксимация прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики диода. [40]
 |
Схемы электронных ключей на полупроводниковых диодах. [41] |
Принципиальная схема простейшего электронного ключа на диоде, который может быть использован, например, в частотомере или фазометре, изображена на рис. 13 - 1, а. Предполагается, что сопротивление проводящего диода ( прямое) Rnp 0 и сопротивление запертого диода ( обратное) Ro6p оо. [42]
 |
Полупроводниковый детекторный вольтметр с кусочно-линейной аппроксимацией.| Получение квадратичной характеристики в вольтметре. [43] |
На каждый последующий диод подается смещение больше, чем на предыдущий, и он открывается только тогда, когда входное напряжение возрастает на некоторую определенную величину. При этом увеличивается число проводящих диодов и возрастает крутизна вольт-амперной характеристики. Отпиранию каждого из диодов соответствует переход от одного кусочка линейно-ломаной характеристики к другому. На рис. 4.8 ( левом и среднем) показано получение одного отрезка характеристики, а на рис. 4.8 ( правом) - итоговая характеристика из ряда отрезков. [44]
 |
Логические схемы. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5