Смыкание - переход
Cтраница 1
Смыкание переходов - явление, наблюдаемое в транзисторах с тонкой и достаточно высокоомной областью базы ( главным образом в высокочастотных сплавных) при приложении высокого напряжения к коллекторному переходу; это явление заключается в прямом прохождении тока между выводами эмиттер - коллектор и потере транзистором усилительных свойств. Напряжение на коллекторном переходе, при котором происходит С.п., называется напряжением смыкания. После снижения напряжения смыкание пропадает и транзистор вновь обретает усилительные свойства. [1]
Смыкание переходов - явление, наблюдаемое в транзисторах с тонкой и достаточно высокоомной областью базы ( главным образом в высокочастотных сплавных) при приложении высокого напряжения к коллекторному переходу; это явление заключается в прямом прохождении тока между выводами эмиттер - коллектор и потере транзистором усилительных свойств. Напряжение на коллекторном переходе, при котором происходит С. После снижения напряжения смыкание пропадает и транзистор вновь обретает усилительные свойства. [2]
Смыкание переходов - явление, наблюдаемое в транзисторах с тонкой и достаточно высокоомной областью базы ( главным образом в высокочастотных сплавных) при приложении высокого напряжения к коллекторномупере-ходу; это явление заключается в прямом прохождении тока между выводами эмиттер - коллектор и потере транзистором усилительных свойств. Напряжение на коллекторном переходе, при котором происходит С. После снижения напряжения смыкание пропадает и транзистор вновь обретает усилительные свойства. [3]
Иногда неисправные транзисторы имеют смыкание переходов коллектора и эмиттера. Описанной выше проверкой оно не обнаруживается, поэтому омметром необходимо контролировать также сопротивления между коллектором и эмиттером. У исправных маломощных транзисторов эти сопротивления велики, причем из-за различия между прямым и инверсным коэффициентами усиления сопротивление имеет несколько меньшую величину, когда к коллектору р-п - р транзистора напряжение приложено отрицательной полярностью. [4]
При работе транзистора иногда наблюдается явление смыкания р-п переходов. Напряжение, при котором это явление наступает, может существенно ограничить диапазон рабочих напряжений даже в области, далекой от пробоя. [5]
Проведен расчет динамического последовательного сопротивления и добротности варакторов с эффектом смыкания перехода. Показано, что вклад переменной части последовательного сопротивления в суммарное сопротивление потерь зависит от выбора рабочей точки и величины напряжения прокола. [6]
В транзисторах с высоким удельным сопротивлением базы наблюдается так называемый эффект смыкания переходов, при котором часть коллекторного перехода, лежащая в базе, при больших отрицательных напряжениях C7Kg, расширяется настолько, что области объемных зарядов эмиттерного и коллекторного перехода - смыкаются. Ширина базы w оказывается равной нулю, согласно ( 12 - 21) коэффициент ап - 1, коэффициент р - оо и наступает пробой. [7]
Если при этом высокоомная базовая область имеет толщину, достаточную для устранения эффекта смыкания переходов ( см. § 5.1), то напряжение включения таких кремниевых тиристоров может достигать 2500 В. [8]
При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода - произойдет так называемое смыкание переходов. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается ( рис. 4.11), возрастает ток эмиттера, а значит, и ток коллектора. По внешним признакам смыкание напоминает пробой или короткое замыкание эмиттера с коллектором. Таким образом, смыкание переходов является одной из причин, ограничивающих напряжение коллектора. [10]
 |
Явление смыкания переходов в транзисторе. [11] |
При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода - произойдет так называемое смыкание переходов. [12]
При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода - произойдет так называемое смыкание переходов. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается ( рис. 4.11), возрастает ток эмиттера, а значит, и ток коллектора. По внешним признакам смыкание напоминает пробой или короткое замыкание эмиттера с коллектором. Таким образом, смыкание переходов является одной из причин, ограничивающих напряжение коллектопа. [13]
При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода - произойдет так называемое смыкание переходов. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается ( рис. 4.11), возрастает ток эмиттера, а значит, и ток коллектора. По внешним признакам смыкание напоминает пробой или короткое замыкание эмиттера с коллектором. Таким образом, смыкание переходов является одной из причин, ограничивающих напряжение коллектора. [15]
Страницы: 1 2 3