Точечно-контактный диод

Cтраница 1

Точечно-контактные диоды на основе фосфида галлия выпрямляют токи до 0 5 А при температурах до 800 С. Омическим контактом для таких диодов служит сплав галлия с индием. В качестве выпрямляющего контакта используется вольфрамовая игла. Напряжение перегиба прямой ветви вольтамперной характеристики составляет 1 2 В. Отформованные диоды имеют прямые точки до 0 5 А при напряжении порядка 5 В. Обратные токи составляют не более 3 10 - 8 А при напряжениях 5 - 10 В. [1]

Конфигурация точеч. [2]

В точечных или точечно-контактных диодах эмиттером служит металлическая игла, прижатая к поверхности полупроводника. Хотя на таком контакте можно получить достаточно хорошее выпрямление, стабильность характеристик невелика, да и коэффициенты выпрямления сильно различаются от образца к образцу. [3]

Под воздействием нейтронной радиации проводимость точечно-контактных диодов уменьшается в прямом и в обратном направлениях; у плоскостных диодов проводимость в прямом направлении также уменьшается. В обратном направлении проводимость некоторых типов плоскостных кремниевых диодов с увеличением нейтронного потока сначала увеличивается, достигает максимума при некоторой величине потока, после чего уменьшается. [4]

Достоинством ДГНЗ является большая, чем у других точечно-контактных диодов, устойчивость к электрическим и механическим перегрузкам, что связано с объемным характером протекающих в них процессов. Поэтому ДГНЗ обладают более стабильными во времени характеристиками, чем дноды с барьерами Шоткн и диоды с р-л-переходамн, и менее подвержены влиянию условий окружающей среды. Кроме того, из-за отсутствия емкости барьерного слоя полное сопротивление таких диодов практически чисто активное, что упрощает нх согласование с СВЧ трактом. [5]

ПЧ - промежуточная, частота, РЗП - разрядник защиты приемника, СВЧУ - СВЧ устройство, ТД - туннельный диод, ТКД - точечно-контактный диод, УЗП-устройство защнты приемника, УТД-усилитель на туннельном диоде, ФАП-ферриговый антенный переключатель. [6]

Благодаря этому между острием и кристаллом возникает / - я-переход диаметром около 50 мкм, который обладает малой емкостью ( от 0 1 до 1 6 пф) и малым временем жизни неосновных носителей, что обеспечивает высокую граничною частоту. Кремниевые точечно-контактные диоды с вольфрамовым или молибденовым острием вообще не требуют электроформовки вследствие хороших свойств запорного слоя на границе между металлом и полупроводником. Диоды с золотой связкой ( рис. 103 6) в отличие от точечно-контактных имеют более крутую ветвь вольт-амперной характеристики в прямом направлении и меньший обратный ток. В этих диодах используется пластина из германия л-типа, к которой приваривается импульсной сваркой золотая ( с акцепторной примесью) проволочка. При этом в германии образуется / j - я-переход с емкостью от 2 до 10 пф и диаметром эт 100 до 150 мкм. [7]

Используя сначала точечно-контактные диоды [12], а затем плоскостные диоды с / 7-п-переходами, он получил приборы с высоким входным сопротивлением, дающие некоторый усилительный эффект. [8]

Большой интерес представляет возможность детектирования ММ н СБМ излучения н даже длинноволнового ( вплоть до 10 м м) ИК излучения структурами металл - металл. Дноды на основе таких структур в конструктивном отношении не отличаются от обычных точечно-контактных диодов, однако полупроводниковый кристалл заменяется металлической пластиной. Механизм работы таких диодов пока что не выяснен, однако большинство исследователей полагает, что здесь имеют место те же процессы, что н в диодах с прижимными контактами металл - полупроводник. Не исключено, что существенную роль играет окисная пленка на поверхности металла. [9]

Схемы простых транзисторных стабилизаторов напряжения, применяемых в радиоприемниках для поддержания постоянства напряжения питания преобразователей частоты. [10]

Датчик стабилизированного напряжения, выполняемый обычно на основе кремниевого опорного диода малой мощности. В стабилизаторах на токи не свыше нескольких миллиампер вместо специальных опорных диодов иногда используют более дешевые точечно-контактные диоды. [11]

Было обнаружено, что величина z не зависит от обратного смещения в диапазоне напряжений 5 - 30 В, что не соответствует результатам измерений, проведенных Пеем для точечно-контактных диодов. [12]

Полупроводниковые усилители появились всего 6 лет назад, а поэтому теория их действия находится в настоящее время в совсем ином состоянии. Но именно это обстоятельство и делает эту область особенно привлекательной, поскольку здесь необходимо провести еще много интересных физических исследований и инженерных разработок, которые могут дать значительный вклад в науку и технику. С другой стороны, работы в этой области полупроводниковой электроники затруднены тем, что до последнего времени еще не выработалось такого единства мнений в вопросах теоретической интерпретации наблюдаемых явлений, которое существует в вакуумной электронике. Это особенно отчетливо проявляется при рассмотрении вопроса о работе точечно-контактных диодов и триодов, ибо точки зрения современных авторитетов в этой области довольно сильно расходятся. [13]

Следовательно, в момент подачи обратного потенциала протекает значительный обратный ток. Непосредственно вслед за приложением обратного потенциала обратное сопротивление диода экспоненциально увеличивается со временем, я большой обратный ток уменьшается со временем до счень малой величины, определяемой статическим высоким обратным сопротивлением диода. В общем случае указанная характеристика не вызывает ограничений в применении диодов точечно-контактного типа, так как время восстановления обратного сопротивления ( восстановление на 90 %) составляет обычно лишь небольшую долю микросекунды. Однако имеется строгое ограничение в применении плоскостных диодов, так как время восстановления обратного сопротивления может доставлять несколько микросекунд. Большинство кремниевых диодов, применяемых в электронных схемах с низким уровнем сигнала, относится к плоскостному типу, а германиевые диоды аналогичного применения относятся t точечно-контактному типу. Поэтому вопросы, юзникающие при расчете времени восстановления обратного сопротивления диода, обычно связаны с применением кремниевых диодов. Обычно постоянная времени соответствует времени, требуемому для достижения обратным сопротивлением диода величины 50 000 ом. Если сопротивление внешней цепи диода мало по сравнению с величиной 50 000 ом, го эффективная постоянная времени цепи будет значительно меньше постоянной времени восстановления обратного сопротивления диода. Эту особенность следует учитывать, когда сигнал содержит частотные составляющие порядка от 1 / Т до 10 / Г или выше. Для кремниевых плоскостных диодов существует дополнительное ограничение. Эффективное напряжение, при кото - юм возбуждается проводимость в прямом направлении, больше изменяется с температурой для кремниевых плоскостных диодов, чем для германиевых точечно-контактных диодов. Это имеет особенно важное значение в случае применения диода в режиме малых сигналов. [14]

Простейшие фиксирующие устройства на диодах. [15]

Страницы: 1 2